9月21日盘前，长鑫科技(688825)发布公告称，公司第五代DRAM技术平台（以下简称“G5平台”）正式实现量产，并已在2026世界制造业大会上同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品。公告指出，第五代工艺技术平台实现量产有助于公司进一步丰富产品矩阵、提升核心竞争力、巩固市场地位。长鑫科技副总裁骆晓东9月20日在2026世界制造业大会上表示：“之前DRAM产品长期被海外垄断，我们推出了中国大陆首颗自主研发的DRAM内存芯片。”据其介绍，G5平台在关键工艺维度上实现了多项行业领先的技术突破，依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。G5微缩工艺的突破，推动存储密度实现跨越式提升：每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%（均换算为8Gb颗粒基准统计），在产品能效、成本控制上均具备显著优势。长鑫科技在公告中还表示，公司第五代工艺技术平台作为全新平台，良率爬坡需要一定的周期。基于第五代工艺技术平台的量产产品尚未形成规模销售，短期内不会对公司经营业绩产生重大影响。长鑫科技于2016年成立，主营DRAM内存芯片研发、制造、销售，是国内唯一DRAM全链条本土厂商，也是全球第四大DRAM厂商，产品覆盖手机、电脑、服务器、汽车存储。2026年7月27日在科创板上市，在超额配售选择权（绿鞋）全额行使后，募资净额约663.1亿元，成为科创板史上募资规模最大的IPO。8月28日，长鑫科技发布了2026年半年报，2026年上半年，公司实现营收1503.1亿元，归母净利润776.05亿元。来源：中国财富综合自上海证券报、长鑫科技官网信息、公开数据等