SK海力士在美国印第安纳州的40亿美元先进内存封装厂开始建设
科创板日报
2026-08-28 08:12
发布于上海
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问AI
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下一代HBM4E将实现哪些技术跃升?
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SK海力士
在美国印第安纳州的40亿美元先进内存封装厂开始建设】财联社8月27日电,SK海力士启动位于美国印第安纳州、投资40亿美元的存储中心建设;将于2029年下半年在印第安纳州工厂启动下一代
HBM4E
芯片的量产。SK海力士CEO预计印第安纳州将成为美国
高带宽内存
(HBM)的核心生产基地。