问AI · 三星1nm芯片选择混合光刻模式的背后原因是什么？
今日，三星电子已明确将高数值孔径极紫外光刻技术的量产节点锁定于1nm制程，预计2030年前后实现商业化部署。
据其晶圆代工工艺开发团队负责人朴昌珉透露，公司起初计划在2nm乃至1.4nm阶段即引入该项技术，然鉴于其成熟度尚存不足，遂作出调整。
具体而言，2029年推出的SF1.4工艺将延续传统0.33数值孔径光刻机及多重曝光方案，SF1.4+与首个1nm节点将于2030年以相同方式实现量产，高数值孔径技术则在此后逐步成为主流。鉴于该类光刻设备造价高昂且配套生态体系仍处构建阶段，三星短期内将采取标准多重曝光与高数值孔径单次曝光并行的混合模式，而非骤然切换。
当前该公司正协同设备及材料领域合作伙伴推进相关技术攻关，旨在为1nm时代的高效量产夯实根基。