7月21日晚间，国内存储芯片龙头兆易创新发布公告，拟使用A股募集资金5亿元向全资子公司珠海横琴芯存半导体有限公司增资，用于推进DRAM芯片研发及产业化项目。当天，公司A股股价放量涨停，成交额突破330亿元，成为半导体板块市场焦点。
根据公告，本次增资的5亿元中，5000万元计入珠海芯存注册资本，剩余4.5亿元计入资本公积。增资完成后，珠海芯存注册资本将由1.5亿元增至2亿元，仍为兆易创新全资子公司。
二级市场层面，兆易创新近期股价波动剧烈。
7月21日，兆易创新A股高开后快速下探至 401 元，午后在半导体板块集体拉升带动下强势冲高，最终封死涨停板，收报475.53元，全天振幅达17.24%，港股同步上涨超15%。
7月22日，该股延续高位震荡，截至收盘报470.00元，微跌1.16%，成交额368.26亿元，总市值约3298亿元。
拉长周期看，公司股价近一年涨幅显著。
自2025年7月的121元附近启动上涨行情，至2026年6月29日创下846.66元的历史高点，区间最大涨幅超6倍。
此后受科技板块整体回调影响，股价快速回落，较高点最大回撤超四成，近期成交持续维持在300亿元左右的高位水平。
业绩端，存储行业上行周期红利持续释放。
兆易创新2026年一季度实现营收41.88亿元，归母净利润14.61亿元，销售毛利率提升至57.08%，盈利能力大幅改善。公司此前发布的上半年业绩预告显示，预计2026年上半年实现营业收入约115亿元，同比增长177%；归母净利润约69亿元，同比大幅增长1099%。
业绩爆发主要源于存储芯片量价齐升：海外大厂持续退出利基型DRAM市场，行业供给紧缩推动产品价格连续上行；同时公司NOR Flash业务保持全球龙头地位，MCU产品受益于工业、汽车电子需求拉动，出货规模稳步增长。目前DRAM业务收入占比已提升至公司总营收的三分之一左右，成为继NOR Flash之后的第二增长曲线。
业内分析认为，本次增资是公司按计划推进DRAM战略的常规动作，在行业周期上行阶段持续加码研发，有助于加快工艺迭代与客户验证进度，巩固利基市场竞争优势。随着下半年两款新料号产品进入量产阶段，公司DRAM业务有望进一步打开成长空间。
来源：星河商业观察