【每日热点速读】
1、三星深度绑定英伟达，全面加码NAND闪存供应
2、东芯股份：预计第二季度净利环比暴增超260%
3、英特尔将为部分至强 6700P 处理器提供 8000MT/s RDIMM 内存支持
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三星深度绑定英伟达，全面加码NAND闪存供应
据韩媒报道，继DRAM、HBM和晶圆代工等领域合作之后，三星电子正扩大与英伟达的合作范围，新增NAND闪存供应领域。据悉，三星正凭借其强大的产能优势，扩大对英伟达旗舰级第九代V-NAND（V9）闪存的供货，同时已启动V10 NAND闪存的量产和供应。此外，三星还在加快推进第十一代（V11）闪存产品的研发工作。
AI存储需求爆发，英伟达CMX成核心增长引擎
英伟达下半年即将推出的全新存储设备上下文记忆存储平台（CMX），推动三星迅速调整产能结构、加码高端NAND闪存供应。当前AI产业高速发展，AI推理过程中产生的键值（KV）缓存数据量呈指数级暴涨，传统GPU服务器已难以承载海量的上下文数据存储压力，搭载大容量SSD的独立存储设备成为AI数据中心的刚需配置。
英伟达CMX平台搭载576个固态硬盘，总存储容量高达9600TB，直接催生海量的NAND闪存需求。业界预计，CMX的NAND闪存需求量将从今年的3500万TB，飙升至明年1亿TB以上。三星有望成为英伟达CMX平台的关键供应商。
产能全面就位，三星主力V-NAND批量供货英伟达
业内人士透露，三星电子已搭建起每月超10万片晶圆的V-NAND稳定产能，目前正全力量产V10 NAND闪存产品，以供应给英伟达。为适配AI存储的全新需求格局，三星已完成内部产能结构的核心调整，将约60%的V-NAND产能分配给V9 NAND闪存产品，V9成为现阶段供货主力。而在一年前，V8 NAND闪存还占据总产量的很大部分，如今其产能占比已压缩至40%以下。产能重心的快速转移，精准匹配了英伟达等全球头部科技企业的AI服务器闪存刚需。
据悉，三星V9闪存良率已稳定提升至80%以上，进入量产稳定阶段，为双方中长期稳定的供货合作奠定了基础。此外，三星平泽4号工厂的NAND专用洁净室仍有超半数可用空间，计划根据未来需求增长扩大V9的生产线。
三代产品迭代提速，技术堆叠构筑竞争壁垒
在保障现有产品供货的同时，三星正全速推进V-NAND产品技术迭代，形成“量产V9、扩产V10、试产V11”的三级产品布局。
今年上半年，三星正式启动第十代V10闪存量产，目前其产量占整体V-NAND产能的5%以内，处于稳步上量阶段。相较于286层堆叠的V9闪存，V10实现了技术跨越式升级，堆叠高度达到400层，存储密度提升50%以上。V10 NAND支持更高的存储层数，以确保英伟达能够在同一CMX模块内组装更大容量的SSD。
三星已于今年年初启动第十一代V11闪存试产，V11定位超高堆叠高端闪存，堆叠层级瞄准500层级，最低规格不低于400层。公司通过增加试产量以确保足够的良率数据，快速搭建成熟的量产体系，预计下半年相关产量将翻倍。
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东芯股份：预计第二季度净利环比暴增超260%
东芯股份发布2026年半年度业绩预告，上半年业绩迎来强劲反转，不仅营收与利润双双大幅超预期，更在第二季度展现出加速爆发的态势。
上半年营收大增超330%，全面扭亏为盈
公告数据显示，东芯股份预计2026年上半年实现营业收入14.9亿元至15.3亿元，同比大幅增长334.41%至346.07%；归属于母公司所有者的净利润预计为6.4亿元至6.8亿元，扣除非经常性损益后的净利润预计为6.3亿元至6.7亿元。相较于2025年同期，彻底走出亏损泥潭，实现同比扭亏为盈。
第二季度单季爆发，净利润环比大增超260%
结合此前披露的2026年第一季度财报（营收4.79亿元，归母净利润1.38亿元），经推算，东芯股份第二季度预计实现营业收入10.11亿元至10.51亿元，环比增长约111%至119%；归母净利润预计达5.02亿元至5.42亿元，环比激增262%至291%，单季盈利能力创下上市以来的历史新高。
多重利好共振，核心业务实现“量价齐升”
此次业绩的跨越式增长，主要得益于行业供需格局的显著改善。一方面，AI算力需求的持续爆发以及国内利基型存储技术竞争力的增强，促使海外存储原厂加速退出利基型市场，供给端收缩态势明显；另一方面，网络通信、工业控制、汽车电子等下游应用需求稳步复苏，导致利基型存储芯片供需缺口持续扩大。在结构性紧缺的态势下，公司产品市场价格大幅攀升，以SLC NAND Flash为代表的核心存储业务成功实现“量价齐升”，带动了整体营收与毛利率的显著上涨。
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英特尔将为部分至强处理器提供 8000MT/s RDIMM 内存支持
英特尔宣布，计划在 2026 年 8~9 月为部分至强 6700P "Granite Rapids SP" 处理器解锁对 8000MT/s 数据传输速率 DDR5 RDIMM 内存的支持。相比目前的6400MT/s RDIMM，内存速度提升25%，内存延迟降低6%。对于构建人工智能、分析和其他以数据为中心的基础设施的客户而言，这些性能提升至关重要，因为它们有助于更高效地在系统中传输数据。
此次增强功能将使英特尔® 至强® 6+ 和英特尔® 至强® 6 处理器率先在主流服务器平台中实现 8000 MT/s RDIMM 支持（通过英特尔® 至强® 6 的 UPLR 版本发布和 BIOS 更新）。这将为高负载工作负载带来更高水平的 RDIMM 内存带宽。预计将于今年8月至9月期间正式上市。
展望未来，英特尔计划于2027年第一季度为英特尔® 至强® 6900P 处理器启用第二代 MRDIMM 支持，最高速度可达 8800 MT/s，从而为 72 至 128 核的高核心数平台提供 MRDIMM 技术带来的持续性能保障。该路线图有助于企业在人工智能、分析、高性能计算 (HPC) 和其他高要求工作负载中不断提升计算密度的同时，持续扩展内存带宽。