在人工智能（AI）热潮中，台湾主要晶圆代工厂台积电因专注于推进其超精细晶圆代工工艺路线图而备受关注。
台积电计划明年首次进军1纳米制程领域，并逐年实现先进衍生制程的商业化。 另一方面，据报道，三星电子正专注于优化2纳米制程，而非积极推进制程研发，这体现了其在先进制程战略上较为谨慎的态度。
据业内人士27日透露，三星电子和台积电的超精细晶圆代工工艺策略预计将从1纳米工艺开始发生重大变化。
台积电通过近期发布的第一季度财报和北美技术研讨会，公布了其尖端的晶圆制造工艺路线图。
据此，台积电将于2027年开始全面量产1纳米超精细工艺。第一步是“A16”工艺。“A”代表埃（0.1纳米），相当于1.6纳米。
随后，台积电计划于2028年量产A14工艺，2029年量产A13工艺。特别是本月新发布的A13工艺，与A14工艺相比，面积减少了6%。据报道，A13工艺还通过DTCO（技术协同优化设计）技术提高了能效和性能。
下一代产品A12也已提出，目标是在2029年实现量产。A12基于A14，其特点是应用了面向人工智能和高性能计算（HPC）行业的背面供电网络（BSPDN）“超级电源轨”。BSPDN技术将以往完全位于晶圆正面的信号处理区域和电源区域分离，并将电源区域置于晶圆背面。
作为主要竞争对手，三星电子采取了与台积电略有不同的战略。此前，三星电子一直将工艺微型化作为首要任务，例如在2022年推出全球首个基于GAA（Gate-All-Around）工艺的3纳米量产产品。
然而，在去年举行的“SAFE论坛”上，三星电子公布了其晶圆代工工艺路线图，并将1.4nm（SF1.4）工艺的量产目标日期从原定的2027年推迟了约两年，至2029年。其战略是专注于优化和推进现有工艺，例如2nm工艺，而不是急于推进1nm工艺。
业内人士预计，三星电子将在今年 5 月下旬于美国举行的 SAFE 论坛上宣布一项以 2nm 工艺为重点的战略。
一位系统半导体行业的官员表示：“三星电子尚未明确其2nm工艺之后的制程路线图。由于需要保障内部和外部客户的需求，预计2nm工艺的使用率将大幅提升，因此该公司目前正集中精力优化工艺并提高良率。”
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