2026年4月18日，主题为“存储芯周期、掘金下一波浪潮”存储行业研讨会由求是缘半导体联盟联合华美半导体上海联谊会共同举办，上海总部企业发展促进会半导体分会、工商银行张江科技支行协办。研讨会汇聚了百余位来自半导体产业，特别是存储细分领域的多位专家前来赴会。
主办方：求是缘半导体联盟理事长陈荣玲、华美半导体上海联谊会会长印羲言致开场辞，热烈欢迎前来与会的100多位嘉宾。
本场活动主持人是由来自华美半导体上海联谊会理事 姜宁担任。
本次研讨会设置两大议题Session：Session1 传统储存发展与探讨，Session2 新型储存发展与探讨。我们分别邀请了来自传统存储阵营与新型存储力量的企业代表依次登台，介绍了各自产品的技术路径、核心特色及应用场景，并就存储产业趋势分享了专业洞察与前瞻研判。
Session1 传统储存发展与探讨
第一位分享嘉宾陈磊来自于传统存储产品阵营，演讲主题是“Memory Fabless在AI时代的机会”。
陈磊从端侧AI浪潮切入，系统分析了智能汽车、智能穿戴（手表、耳机等）及消费类移动终端（手机等）对存储器件提出的新需求：更小尺寸、更低功耗、更高性能（快速的数据交换能力）、更高密度。
基于全球几家存储器IDM的资本支出动态、服务器市场对存储器的需求变化，陈磊进一步对未来存储器市场走势作出预判。
最后，陈磊还介绍了面向端侧设备高算力需求的新型存储形态：Wafer to Wafer（Wide I/O），为行业提供了新的技术思路。
第二位分享嘉宾为紫光国芯市场负责人贺海文，演讲主题为“DRAM 存储和 3D 的展望”。
贺海文首先指出AI时代的核心矛盾在于算力的爆发式增长与存储瓶颈之间的失衡，数据的高效搬运已成为制约AI算力释放的关键瓶颈之一。打破日益严峻的“存储墙效应”的路径之一：存算一体——将计算与存储在物理层面融合——被视为终极解决方案。紫光国芯团队推出的SeDRAM正是存算一体理念的具体展现。
SeDRAM的核心在于引入异质集成三维堆叠、混合键合等技术手段，将DRAM与逻辑单位深度融合，从而打破传统架构限制。这一方案实现了超高互联密度、超低连接电阻（低于0.5Ω）、去除PHY结构（缩短数据传输路径、降低延迟）和突破带宽瓶颈。SeDRAM凭借其独特的架构，在带宽、功耗、延迟和集成度等关键维度上，相较传统方案具备显著优势。SeDRAM产品已率先在算力领域实现大规模化量产，采用SeDRAM技术方案助力大模型芯片释放极致性能，为AI与智能时代提供算力基石。此外，SeDRAM也代表了存储技术从2D平面走向3D堆叠的重要跃迁，是中国企业实现技术超越的关键路径。
第三位嘉宾为兆易创新市场总监薛霆，分享主题是“利基型FLASH的市场应用和特点” 。
薛霆首先厘清了存储器件的分类及其典型应用场景。SPI NOR和SLC NAND等小容量主要用于嵌入式系统的代码存储，大部分用于系统启动（Boot、Kernel、Middleware等）；eMMC/UFS/SSD等大容量主要用于大型系统的数据存储（Android/Windows操作系统、APP、用户数据等）。
最后，薛霆还系统梳理了兆易创新（GD）旗下四条存储产品线的路线图进展：SPI NOR Flash® 产品路线图，覆盖不同的电压1.2V~3V，容量涵盖512kb~2Gb。NOR Flash Memory Roadmap，基于主流成熟线宽工艺45nm~65nm，容量：512kb~2Gb。WLCSP产品规划，覆盖不同的电压1.2V~3.6V，容量涵盖4Mb~512Mb。NAND Flash 产品路线图，容量涵盖512Mb~16Gb。
Session2 新型储存发展与探讨
第四位分享嘉宾浙江大学赵亮老师为我们带来题为“三维堆叠大模型近存加速芯片”的演讲。
赵亮老师先剖析了在28nm节点及以下线宽工艺，传统Nor Flash的尺寸结构微缩无以为继，会导致出现浮栅中能存储的电子数量减少；特别是在绝缘层厚度变薄的情况下，极易出现漏电缺陷。
赵亮指出，RRAM（忆阻器）是一类重要的先进存储器，RRAM工作原理为：通过调控介质中导电细丝通断，实现信息存储。具有微缩潜力大（~2nm）、低功耗、低成本且能兼容标准CMOS工艺等突出优势。
近年来，RRAM从业者也在逐步突破RRAM量产关键技术，采用创新思路——采用双界面器件结构，解耦形成和写入操作来逐推动RRAM的量产化进程。截至2025年底，已出货RRAM芯片2亿颗以上，覆盖显示驱动、汽车电子等应用场景；在此基础上，赵亮团队基于RRAM-逻辑三维堆叠的大模型近存加速芯片，该工作荣获ISSCC 2026大会亮点论文，未来有望在大模型推理中实现应用突破。
第五位嘉宾燕芯微电子产品总监魏荣，分享题为“新型存储器件ReRAM在AI时代的应用”。
魏荣表示，AI模型加速了计算需求，快速增长的AI模型需要更大的存储容量和带宽；但传统的冯诺伊曼架构中计算与存储分离的设计，导致数据吞吐量制约了CPU的计算速度，引发了“存储墙”和“功耗墙”两大症结问题，存算一体的理念则是解决这一顽疾的有效路径。其技术路线又可分为：近存处理PNM，存内处理PIM和存内计算CIM。
传统嵌入式非易失性存储(eFlash)面临挑战包含：工艺复杂度显著提升、操作电压高、擦写速度慢等。当前系统级存储结构中，DRAM和SSD之间存在巨大性能空白，RRAM可桥接两者的性能差距。
RRAM相比DRAM具有更高容量、更低成本、掉电数据不丢失的优势；RRAM相比NAND具备更高擦写次数、快1000倍的读写速度。因此，ReRAM正成为新型存储技术主流。
全球多家知名大厂和半导体公司都在进行RRAM战略布局，并在技术研发和应用上已取得显著进展。
燕芯微团队承袭北大数十余年积累，具备ReRAM全流程技术自研能力，并与Fab厂深度合作，双向赋能。产品布局围绕“存储”与“存算”展开，覆盖体系覆盖①嵌入式闪存的革新替代+②独立式存储高可靠方案+③存算一体AI解决产品。
第六位嘉宾合肥睿科微运营高级总监吴炎霖，分享题为“RRAM，技术降本的存储器”。
睿科微团队深耕新型存储RRAM赛道多年，也是在产业化过程中发展相较快的创业团队。其RRAM产品可适配多个应用场景（显示、MCU、BLE、TWS、UWB、PMIC等），满足轻量化、低功耗、高性能读写存储等要求。
吴炎霖剖析了新型存储在成本控制方面的天然优势。如RRAM制造工序只需两层光罩，而传统存储器制造往往需要十多层光罩。
研讨会期间，嘉宾的精彩分享与务实观点引发了场内听众的共鸣和反思，提问环节踊跃积极，交流氛围热烈坦诚。
存储研讨会结束之际，本次活动协办方：上海总部企业发展促进会秘书长周杰总结陈辞。周秘书长代表上海总促会邀请大家多关注上海总促会，上海总促会期待后续以多样化的形式多和大家互动，共同促进产业发展。
存储研讨会圆满结束后，与会嘉宾移步餐厅享用晚宴，继续共话存储产业美好未来。
结 语
无论是新型存储还是传统存储，其演进皆植根于基础理论突破、技术演进、制造工艺革新、产业趋势牵引和终端客户需求等多种要素交织共振。不同的存储技术之间相互依存、互为补充。
至于何种存储技术、产品能够成为主流，最终还要尊重市场规律、尊重客户选择。正如分享嘉宾吴炎霖所言：冬天选择穿军大衣还是羽绒服？完全因人、因时、因地而异。
撰稿人：刘红
拍摄/编辑：马丹凤
审阅：杨健楷