随着人工智能（AI）产业的蓬勃发展，对NAND闪存的需求激增，三星电子、SK海力士和铠侠等全球NAND闪存制造商正在加速产能扩张。然而，三星电子和SK海力士优先考虑的是DRAM产能的提升，而铠侠的产能扩张预计短期内无法满足市场需求，因此大多数分析师认为NAND闪存价格的上涨趋势在短期内仍将持续。
据市场研究公司DRAMeXchange 17日发布的数据显示，上月标准NAND闪存产品（128Gb 16Gx8 MLC，用于存储卡和U盘）的平均合约价为17.73美元，较上月的12.67美元上涨了39.95%。与去年1月的2.18美元相比，涨幅约为八倍。尽管以人工智能数据中心为中心的市场需求迅速增长，但NAND闪存厂商的供应却未能跟上。
随着人工智能产业的蓬勃发展，NAND闪存的供应短缺问题日益严峻，其供应短缺问题也与DRAM一样日益严重。在训练人工智能模型和提升推理能力的过程中，用于存储海量数据的基于NAND闪存的企业级固态硬盘（eSSD）的需求激增。此外，数据中心服务器4至6年的更换周期也与NAND闪存重叠，进一步推高了需求。
然而，在经历了两三年的NAND市场低迷之后，全球NAND制造商纷纷减产，难以满足市场需求。尤其是三星电子、SK海力士和美光等公司，已将重心转向DRAM生产，DRAM的需求增长速度远超NAND，导致NAND产能扩张的优先级降低。
市场研究公司 TrendForce 预测：“由于短期内 NAND 闪存产能增长有限，而人工智能需求激增，今年价格将持续强劲上涨。”
三星电子和SK海力士计划今年重点扩建其位于中国的NAND闪存工厂。据悉，三星电子已完成西安一厂的工艺改造投资，并计划在下半年提高产量。西安二厂据称正在考虑扩建，计划每月增加约4万片晶圆的产能。SK海力士据称正在推进新的投资，计划将其大连二厂的产能扩建至每月5万片晶圆。
据称，他们也在全力以赴地在国内新的生产线上寻找空间。据报道，三星电子位于平泽园区5号工厂（P5）和SK海力士位于龙仁半导体集群一期工厂（Y1）的新生产基地正在研究如何扩大NAND闪存生产线。
一位半导体行业官员表示：“韩国存储半导体企业优先扩大DRAM和高带宽内存（HBM）产能，但NAND的需求也在激增，因此应对措施迫在眉睫。”他补充说：“我们正在努力确保海内外工厂有足够的空间来扩大生产线。”
包括铠侠（Kioxia）和美光（Micron）在内的海外NAND闪存制造商也在加大力度扩大产能。日本铠侠自去年以来一直在进行扩建投资，并计划今年在其位于四日市的工厂每月增加约3万片晶圆的产能。总部位于美国的美光在新加坡投资建设的新NAND闪存工厂预计将于今年全面破土动工，并于2028年开始量产。
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