2月26日，三大指数涨跌不一，截至发稿上证科创板芯片设计主题指数(950162.SH)下跌0.44%，该指数成分股中，新相微上涨超6%，睿创微纳上涨超2%，普冉股份、康希通信与臻镭科技上涨超1%。
相关ETF方面，科创芯片设计ETF天弘(589070)截至发稿成交额超2000万元，实时溢价率为0.01%。资金流向方面，该ETF上个交易日(2月25日)净流入额为1558.01万元。该ETF最新流通份额为6.17亿份，最新流通规模为6.03亿元。
科创芯片设计ETF天弘（589070）具备20%的涨跌幅空间。该产品紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，指数聚焦于芯片设计核心环节，相关行业含量接近95%，行业集中度较高、“含芯量”突出，其成分股涵盖50家科创板芯片领域龙头企业。
消息面上，据财联社援引相关报道，业内人士透露，三星电子内部已实现1c DRAM 80%的良率，这是在高温环境下（热测试）取得的最高良率，2025年第四季度其良率约为60-70%，如今已显著提升，并有望在5月份左右达到90%。业内人士进一步表示，三星基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高，已接近60%，去年第四季度约为50%。
中信证券表示，国产AI芯片：我们预计2030年的中国AI芯片市场规模将在2025年350-400亿美元基础上，增至原来的7-9倍，增幅高于全球。中国AI芯片国产化率有望从2025年30~40%提升至2030年的60~70%水平。