作者 | 王秋凤
进入1月份，有好几家车企高管，包括蔚来、理想、小米、零跑、都对内存发出价格预警。大概意思都是内存涨价了，汽车供应链已经被波及，要保供。目前还只涉及成本上浮，还没有到抢不到货的阶段，预计今年能看到缺货和抢货、黑市横行。2021年缺芯的记忆被激活。这一次和上次有相似之处，即都是结构性的；不同之处在于，上次是普遍缺货，这一次集中于内存。
大致上，两次都是产能短缺与快速拉升的需求出现错配引发。但是，这一次似乎炒作的痕迹更重一些，对车企的影响，范围有所不及（相对上次），但影响更为持久。
HBM挤占DDR产能
从去年Q4一开始，富国银行、标普、瑞银等都发出过类似预警。当时内存已经涨起来了。这些机构预警的大概内容都类似：内存这一轮上涨，缺货周期看到2028年。
现在看，前一个预言已经应验而且过头了：一条256G的DDR5内存，已经涨到5万元，涨了300%。这个疯狂的涨幅，只花了1个季度。瑞银声称，今年Q1和Q2还将分别涨50%和20%。按照“上涨不言顶”的经验，机构分析可能太保守了，正如他们预料到会涨的很凶，但并未想到一盒内存换套房（一二线城市）。后一个预言，也将会实现。
虽然大家笼统说内存涨价，但市面上卖的内存，主要有这么几种：DDR，HBM和NAND。严格说，NAND（非易失闪存），就是断电了数据还在那种，在PC时代叫外存或硬盘（ROM），不是内存（RAM），但口头上往往不与前两者区分。DDR（双数据率动态随机内存）是SDRAM（同步动态内存）的升级版，现在汽车上采用的DDR，已经和PC和手机内存不存在代差，都达到DDR4、DDR5，DDR5相对DDR4，时钟频率、封装密度、功耗、通道数、读写带宽都有提升。
而HBM（高带宽内存），可以理解为垂直堆叠多层RAM形成的内存阵列，2D变3D的结果，在时钟频率不变的情况下，能耗、带宽、互联速度显著提升。当然，制造难度和价格高了很多。
HBM普遍用于性能要求高的GPU，英伟达是HBM采购的头号直接大客户。所有GPU下游的云算力和AI服务运营商，都可以算作HBM间接客户。生成式AI的爆发，催生了数据中心对HBM近乎无限的渴求。一台AI服务器的HBM用量是普通服务器的8至10倍。汽车对AI的训推需求虽然扩张迅速，但只占AI算力应用的一小部分。车企自己也在AI需求的强预期里面，但实际上是一部分需求挤占了另一部分需求。
原因貌似很简单，HBM的毛利率比DDR高15%-35%。内存供应商不用费心做选择题，他们全体倾向于优先部署HBM产能，HBM 制程产能持续排挤传统DDR 产能。两者投资替代性明显：每生产1GB 的HBM的投资，约须牺牲3GB 的DDR投资。而新一代HBM （HBM4e）排挤DDR的比例还可能进一步提高。
内存市场和别的市场一样，当供给出现瓶颈，进入卖方市场。众多买方，价高者得。蔚来的李斌说，“我们和AI、算力中心去抢（内存），哪抢得过人家，人家投资都是上千亿美金。”车企作为低利润产品客户，理应排在后面。
问题真的如此简单吗？
HBM的寡头市场
内存供给出问题，更大的锅，恐怕归结为垄断。目前HBM代际，已经从HBM2、HBM2e、发展HBM3/3e，后两者如今是GPU需求的主流。 HBM4/4e产能都在路上，预计今年和明年进入量产。英伟达近期发布的Rubin GPU，就打算用HBM4。
目前能生产HBM3/3e，以及具备潜在的HBM4/4e产能的，全球就三个供应商：SK海力士、三星、美光。三者分别占53%、35%和11%的HBM市场，合计占99%。
国内存储芯片企业，如长鑫存储、华为海思、通富微电、长电科技、武汉新芯等企业，都正在大力研发、小规模量产HBM2/2e。据说远见智存稳定量产HBM2e，他们都与“御三家”相差1、2代。
“御三家”到底有没有事实串谋？很难直接证实，但要说毫无默契，也不大可能。一个天然的“桌下卡特尔”呼之欲出。
内存供应的超级周期
美光宣布，2026年（8月底截止的会计年度）HBM产能全部售罄、2027年订单迅速填满；SK 海力士与三星也宣布了2026年订单已满。
对于未来产能，美光宣布投资1000亿美元，在纽约建立HBM工厂（预计2028年投产）。SK海力士也批准了一项约合人民币890亿元的投资，在韩国建立专门用于HBM先进封装测试的工厂，预计于2027年底竣工。SK海力士还将于2027年2月提前三个月在韩国龙仁开设一家新芯片工厂。
顺便说一句，这三家当中，三星自己搞定了内存的代工和封测。SK海力士和美光，都在一定程度上依靠与台积电合作，因此后两者对自建代工产能投资，更为积极。
这些新投资计划对产能的实际影响，最快要等到2028年才有体现。也就是说，现有产能决定了业内供应。
不只是中期产能预期，从内存现货价涨价节奏持续领先合约价（长协价），以及库存周期急剧下降（最短为2周，基本上都花在转运途中）来看，内存飙涨似乎无须共谋，就能实现。
全球供求数据不是秘密，大家都知道短期供应无法缓解紧张。一定有炒家利用杠杆大力囤货，加剧紧缺状态。几乎所有周期性行业，往往死于过度投资后的产能过剩。
AI投资是否具有周期性，有争议。但本轮车企缺存储芯片，可能正处于一个超级周期的开端（比通常的周期更长）。和上一轮一样，芯片理论上产能都是2、3年，但这一次不同的是，制程技术占优的产能太集中了，他们无意新增投资、甚至压缩DDR产能投资，是造成车企供应短缺的因素，而且中期内无望缓解。即便现在只是成本增加，尚未到抢不到货的阶段，但也引发了车企的普遍焦虑。
国内产能不足以保供
变数在于，国内芯片供应商，长鑫存储引领了DDR5的产能扩张，同时缩减了DDR4的投资。截止到2025年底，长鑫月产能28万片，2026年目标增加不多，只有30万片，制程主要是19nm。而三星2025年月产能130万片，还是压缩之后的，制程10nm。
相对于HBM，在DDR领域国内芯片厂商落后的不多，问题在于产能和良率本身。为何扩张如此之慢？原因仍是美国对芯片设计、代工厂商的制裁，阻碍了跨国供应链循环，核心也仍然是EUV光刻机及其耗材。
中间炒家能上杠杆，御三家难道坐视二道贩子赚到大部分利润？其实他们杠杆上的更早、更大。所谓“逆周期投资”，这些企业玩的精熟。他们在行业低谷期偏偏大幅增投、亏本抢市场，横扫资金实力不足的竞争对手。要不然怎么会全球只剩三个大玩家。原来的德国奇梦达、日本尔必达都是这样被挤破产的。德仪等被迫退出RAM市场。如今的内存行业格局，就是血腥杀戮后的豪门盛筵。
在2022年底前，美国先后对福建晋华、长江存储、长鑫存储发起制裁，就是限制这三家获取生产设备，卡住制程。这些制裁的影响波及到今天，国内DDR产能增速一直上不去。美国的确卡住了中国汽车产业的上游内存供应链。
中国在2023年实施了反击，在2023年制裁了美光，在关键基础设施领域不允许采购美光产品。美光的反应是增投了西安的封测工厂，中国因此未进一步加严手段。但这些依仗市场份额的制裁手段，很难彻底封杀（完全禁入就无法引导对方行为）。中国选择在产业周期低谷才动用干预手段，就意味着承认，尚未消除内存对外部结构性依赖。
作为保供措施，车企层面可能会争取与芯片供应商签长约。但整个产业，显然没有捷径可走，无论是DDR还是HBM。必须大力支持本土企业突破设备瓶颈，提升生产和产品技术迭代速度，加大产能投资。
和其他芯片一样，一个是依靠确定性需求牵引，让供应商放心投入；另一个是直接动用大基金，从技术和供应链源头进行扶持。建立自主可控、合作紧密的产业生态。如果监管在价格剧烈上升段敢于干预，就说明该国内供应链基本成熟了。
也就是说，御三家是否有串谋或默契不重要，重要的是能否打破外部垄断。照目前的态势，内存技术追上国际主流水平，与算力芯片基本同步（因为内存水平是算力芯片的一部分）；而供应的解决，将晚于其他先进制程芯片。车企还得着实过一阵“看菜吃饭”的日子。
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