物质科学
Physical science
2025年12月19日,南京师范大学李晓教授、周智超副教授课题组在Cell Press细胞出版社旗下期刊Newton上发表了一篇题为“Coupling spin textures to valley degree of freedom in MP2X6”的理论研究论文。该工作发现,二维半导体SnP2Se6单层在其能带结构的不同能谷处,分别呈现出较为稀有的Weyl型和Ising型的自旋纹理。这些能谷依赖的自旋纹理可以通过能谷调制实现选择性表达,为量子器件中的自旋-能谷操控提供了新的路径。
文章亮点
SnP2Se6单层兼具Weyl型和Ising型的自旋纹理;
两种自旋纹理与不同能谷相耦合,易于调控;
能谷依赖的物理性质随着层数变化是鲁棒的,且可推广到其它MP2X6材料。
文章简介
动量空间中的自旋纹理紧密联系于自旋相关的各种物理现象,在自旋电子学领域具有广泛的应用。Rashba型与Dresselhaus型自旋纹理的研究已较为深入。相对比地,Ising型与Weyl型自旋纹理是近年来才被提出的自旋纹理类型,相关研究与材料实现较为稀少。同时兼具这两种自旋纹理的材料系统更是尚未发现,具有极高的研究价值与应用潜力。另一方面,晶体动量空间中不等价的能谷可以展现出能谷对比的物理特性,是一种新兴的电子自由度,为电子学的发展带来了新的机遇。结合自旋纹理和能谷物理相关的研究,一些有趣的科学问题值得人们探究,比如:在二维材料中不同类型的自旋纹理能否与不等价的能谷进行耦合,能否借助能谷自由度对这些自旋纹理进行选择性地调控。
图1: SnP2Se6单层的原子结构和对称性允许的自旋轨道耦合
图2: SnP2Se6单层的电子能带结构和能谷依赖的自旋纹理
为解决上述问题,研究团队以近期合成的二维半导体材料SnP2Se6作为研究对象,探究了MP2X6材料家族电子能谷、自旋纹理等性质和它们之间的耦合。通过第一性原理计算,研究团队发现SnP2Se6单层是一种多能谷间接带隙半导体材料,其价带顶和导带底分别位于K±谷和Γ谷。在该单层材料中,上述不等价能谷与不同类型的自旋纹理相耦合。具体来说,Γ谷附近的导带电子态展现出Weyl型的自旋纹理,K±谷附近的价带电子态则分别呈现出自旋相反的Ising型自旋纹理。这两种自旋纹理较为稀少,在同一材料中同时实现这两种自旋纹理更是鲜有报道。进一步,这两种自旋纹理可以通过载流子掺杂等能谷调控方式进行选择性地表达。
图3: SnP2Se6单层能谷对比的旋光选择吸收性和贝利曲率
图4: SnP2Se6双层和GeP2S6单层的电子性质
除此之外,SnP2Se6单层可以呈现出能谷对比的旋光选择吸收性和源于贝利曲率的反常霍尔流。与过渡金属双硫族化合物等人们所熟知的能谷材料不同,上述光电性质与能谷依赖的自旋纹理随着层数的变化是鲁棒的。这些性质也有望推广到更多的具有类似对称性的二维材料体系。
上述研究将较为稀有的自旋纹理与能谷自由度进行耦合,有望拓宽自旋与能谷物理的研究范围,为设计新型自旋和能谷相关的电子器件提供了理论指导。
作者专访
Cell Press细胞出版社特别邀请本文研究团队进行了专访,请他们为大家进一步解读。
作者介绍
梁丽
博士研究生
梁丽,硕士就读于南京师范大学,导师为李晓教授。现为东南大学在读博士生。
周智超
副教授
周智超,南京师范大学物理科学与技术学院,副教授。
李晓
教授
李晓,南京师范大学物理科学与技术学院,教授。
相关文章信息
论文原文刊载于Cell Press细胞出版社旗下期刊Newton
▌论文标题:
Coupling spin textures to valley degree of freedom in MP2X6
▌论文网址:
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2950636025003330
▌DOI:
https://doi.org/10.1016/j.newton.2025.100341
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