SK海力士5日表示，已与英伟达就明年HBM4的供应完成了价格和数量谈判。一位熟悉SK海力士的消息人士称：“HBM4的供应价格将比HBM3E高出50%以上。” SK海力士向英伟达供应的HBM4单价已确认约为560美元（约合80万韩元）。此前业内预期SK海力士的HBM4单价约为500美元，但实际交付价格超出预期10%以上，比目前供应的HBM3E（约合370美元）价格高出50%以上。
受此消息影响，隔夜美股美光科技大涨8.93%，再创历史新高。存储概念股希捷和闪迪也双双涨超10%。
当下，全球存储芯片价格仍在上涨。11月3日，市场消息称，三星电子率先于10月暂停DDR5 DRAM合约报价。 这引发SK海力士、美光等存储原厂跟进，恢复报价预计延后至11月中旬。受此影响，短短一周内，DDR5现货价格飙升25%。
同时，海外多家头部科技厂商上调了2025财年的资本支出预期，算力基础设施建设持续扩张，服务器和数据中心的存储需求增长持续提升行业景气度，预计四季度存储价格有望维持上涨趋势。
GKURC产经智库首席分析师丁少将11月4日分析，存储芯片行业本身处于周期性复苏阶段，厂商前期减产去库存，加速了供需逆转。这轮上涨可能持续到2026年甚至更久，其结束形式可能是巨头扩产导致供给增加，或是下游需求增速放缓，打破供需紧平衡。