炸场首尔!SK 海力士官宣 !“全线AI存储”新愿景!

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研发AI-DRAM和AI-NAND

2025 年 11 月 3 日,SK 海力士在首尔 “SK AI Summit 2025” 峰会上,由 CEO Kwak Noh-Jung 正式公布 “全线 AI 存储创造者”(Full Stack AI Memory Creator)新愿景,旨在深化 AI 时代存储领域领导地位,破解 “存储墙” 瓶颈。

Kwak Noh-Jung 指出,AI 加速落地推动信息流量爆发式增长,但存储性能与处理器进步不同步形成 “存储墙”,存储芯片已从普通元件升级为 AI 产业核心价值产品。为此,SK 海力士将从 “全栈存储供应商” 升级,以共同架构师、合作伙伴及生态贡献者身份,通过生态合作解决客户挑战。

为实现该愿景,SK 海力士推出三大核心产品矩阵,打破传统计算中心型存储模式,以多元化功能破解 AI 推理瓶颈:

1、定制化 HBM:整合 GPU 与 ASIC 特定功能至 HBM 基座,最大化芯片性能并降低传输功耗,适配 AI 市场从商品化向推论效率优化的需求。其 12 层 HBM4 样品已实现 2TB/s 带宽,较前代提升 60% 以上,计划 2025 下半年完成量产准备。
2、AI DRAM(AI-D):细分三大方向 ——O(优化)类含 MRDIMM 等低功耗方案,降低 TCO;B(突破)类以 CMM、PIM 技术攻克 “存储墙”;E(扩展)类将 HBM 等技术延伸至机器人、工业自动化等领域。
3、AI NAND(AI-N):覆盖三类解决方案 ——P(性能)类重构 NAND 与控制器,2026 年底计划出样;B(带宽)类借堆叠芯粒与 HBF 技术补全 HBM 容量短板;D(密度)类目标实现 PB 级存储,兼顾 SSD 速度与 HDD 成本优势。

合作层面,SK 海力士已与英伟达联合开发 HBM 并借其技术优化晶圆厂效率,向 OpenAI 供应高性能内存,与台积电合作下一代 HBM 基底芯粒;同时联合 Sandisk 制定 HBF 标准,与 NAVER Cloud 在数据中心场景优化产品。通过技术突破与生态协同,SK 海力士正构建 AI 存储核心竞争力。

韩国SK证券刚刚将SK海力士的目标股价上调至100万韩元……他们基本上是说有 78.9% 的上涨潜力。

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