高盛——亚太科技行业——半导体-存储芯片领域：南亚科技2025年三季度业绩关联分析；DRAM市场前景向好，与高盛预期一致
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一、核心事件：南亚科技2025年三季度业绩及DRAM市场展望
（一）业绩概况：无超预期因素，重点传递积极展望
10月13日，中国台湾DRAM（动态随机存取存储器）厂商南亚科技（Nanya Tech，未覆盖）发布2025年三季度（9月季度）业绩。高盛通过其业绩解读，为覆盖的韩国存储芯片供应商——SK海力士（SK Hynix）与三星电子（Samsung Electronics，SEC）提供参考。业绩电话会议未出现意外信息，但南亚科技传递的DRAM市场积极展望与高盛及市场共识一致。
（二）DRAM市场核心观点：供需健康，价格与短缺预期明确
1. 需求端：预计未来DRAM市场需求保持健康，2026年强劲的AI及通用服务器需求将驱动DRAM需求增长；
2. 供给端：传统DRAM供给有限，供应商库存处于健康水平，无明显过剩压力；
3. 价格与产品短缺：南亚科技预计2025年四季度自身产品平均售价（ASP）将环比上涨，且DDR4（第四代双倍数据率内存）短缺现象将在未来几个季度持续。
◦ 对韩国企业影响：高盛认为此趋势对三星电子、SK海力士有积极作用，但影响程度有限——因两家企业计划逐步降低DDR4业务占比，转向更高端的DDR5及HBM（高带宽内存）产品。
二、重点覆盖企业估值方法与风险提示
（一）三星电子（Samsung Electronics）
• 估值方法：
◦ 普通股：基于2026年预期企业价值/息税折旧摊销前利润（EV/EBITDA）的分拆估值法（SOTP），12个月目标价为9.6万韩元；
◦ 优先股：基于优先股相对普通股18%的折价率（通过“双因素模型折价”与“过去1个月平均折价”均值计算），12个月目标价为7.8万韩元；
◦ 评级：普通股与优先股均为“买入（Buy）”。
• 核心下行风险：
1. 存储芯片供需关系大幅恶化；
2. 智能手机业务利润率大幅收缩；
3. 移动OLED（有机发光二极管）市场份额流失。
（二）SK海力士（SK Hynix Inc.）
• 估值方法：基于2025/2026年平均每股账面价值（BVPS），采用1.8倍目标市净率（P/B），12个月目标价为30万韩元；
• 评级：中性（Neutral）。
• 核心风险（双向）：
◦ 上行风险：智能手机/PC/服务器需求强于预期（拉动传统存储需求）、三星HBM业务进展不及预期（利好SK海力士HBM收入利润）、AI相关资本开支增加（提振HBM需求）；
◦ 下行风险：上述需求弱于预期、三星HBM业务进展超预期、AI相关资本开支减少（压制HBM需求）。