4月29日，2025英特尔代工大会（Intel Foundry Direct Connect）在美国加州圣何塞开幕。CEO 陈立武在大会上发表开幕演讲，强调英特尔正在推动其代工战略进入下一阶段，以及英特尔打造世界一流代工厂的愿景，体现了对代工业务的重视和信心。
会上Intel介绍了其工艺技术和先进封装最新成果，在工艺技术方面最主要的进展是：
1.调整路线图，移除Intel 20A 和 Intel 3PT，新增 Intel 18A-PT（面向 AI 产品）
2.Intel 18A 已投产，18A-P（性能增强版）计划 2026 年推出
3.Intel 14A 与 18A-PT 并行推进，重申四年五节点计划及背面供电技术
英特尔正式宣布Intel 18A制程节点已进入风险试产阶段（in risk production），并将于今年内实现正式量产（volume manufacturing）。基于该制程节点的首款产品，代号为Panther Lake，将于2025年年底推出，更多产品型号将于2026年上半年发布。采用High-NA EUV和PowerDirect技术的Intel 14A，预计将于2027年前实现大规模量产，其演进版本将在未来三年继续推进。
传统工艺代工方面，英特尔代工流片首批基于16纳米制程的产品已经进入晶圆厂生产，与UMC合作开发的12纳米节点产品预计将于2027年开始生产。
业界最为关心的代工客户方面，高通、联发科、微软都到场表态支持，市场传闻英伟达、博通、智源科技、IBM等龙头企业已经相继开始采用Intel 18A制程进行流片测试，18A芯片样品已进入合作伙伴验证阶段。Intel特别强调了“TRUST”，但客户能不能吃定心丸，还是要靠技术水平。
看来Intel的代工业务能不能成功，已经都落在18A工艺制程的上面了。
根据最新的消息（ISSCC 2025 会议），Intel的18A制程在逻辑密度上与台积电的N3E相当，约为210 MTr/mm²，而台积电N3E为215 MTr/mm²。这表明Intel在逻辑密度上已经接近台积电的水平。然而，在SRAM密度方面，Intel 18A略逊于台积电N2，后者的SRAM密度为0.0175um²，而Intel 18A为0.021um²。
Intel通过提前采用GAA（Gate-All-Around）和BSPDN（Backside Power Delivery Network）技术，成功缩小了与台积电的差距。这种策略使得Intel能够在不完全榨干FinFET技术潜力的情况下，直接进入下一代GAA技术的竞争。台积电在SRAM尺寸上停滞了两代，终于N2上能把SRAM做的更小，说明台积电在GAA技术上也获得了不小进步。
从结果上看，Intel可能真的把和台积电的差距缩小到了一代以内，从时间线上甚至能在台积电N2出来之前做到几个月的制程密度并列领先。随着三星在先进制程拉跨，现在能在顶级工艺上能有希望PK台积电的，也只有Intel了。
全球半导体代工市场呈现出高度集中化的竞争格局，主要由台积电（TSMC）、三星（Samsung Foundry）、格芯（GlobalFoundries）、联电（UMC）和中芯国际（SMIC）等企业主导。
全球半导体代工市场呈现出明显的寡头垄断格局，台积电凭借其在先进制程领域的技术优势和市场份额的不断扩大，持续巩固其行业领先地位。三星虽然在先进制程上投入巨大，但与台积电的差距逐渐拉大。中芯国际、联电和格芯则在成熟制程和特色工艺领域展开竞争，市场份额相对稳定。
Intel目标要做到代工市场的老二，意味着将超过三星的9%份额，目前看还是有可能的，原因是：
1、Intel 18A可能会在高性能计算（HPC）和人工智能（AI）芯片市场分到部分份额，Mobile市场可能还是拼不过台积电。
2、Intel在美国本土的产能优势，亚利桑那与俄勒冈推进 18A 项目，马来西亚和新墨西哥州承担主要封装产能，俄亥俄州更在为 2030 年后的大规模制程扩展蓄势。
3、美政府新政倾斜（毋庸置疑）。
当然，以上一切取决于Intel的产品交付水平。
从投资的角度上看，Intel的股价调整比较充分，CEO换帅前后一直稳定在20美元的基础上，当然不排除还会下，这谁都说不准。对比英伟达，好像不管是什么消息，市场都解读为坏消息。但对于英特尔来说，正好相反，不管18A 能不能成，市场似乎都可以解读为好消息。陈立武把18A作为一个赌注，无论成败他都可以全身而退。18A成功，当然好，即使不成，市场会解读为代工业务将被卖掉，皆大欢喜。