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导读
我们一直说科技发展是经济的动力引擎，这里底层核心是能源变革，由资源属性变为制造属性，以及ICT领域的不断发展，也就是新一代信息产业技术，新赋予的名词叫“泛在数智互联网”。今后电车商业研究也会对ICT领域的发展做出一些报道和分析。
如果总结本领域的技术分支和对比国外的技术发展，以下一图即可读懂。
中国ICT领域的长短版
从图中看到，材料和制造装备，一直是国产半导体业界的一块短板。这次在浦东国际半导体展上，又一家深圳新锐企业冉冉新兴的气象，这家国产半导体设备厂商此前鲜少露面，首次参展便发布了多款新品，吸引了大批参观者、业内同行和潜在客户拥挤在展台。
亮相：SEMICON China 2025国际半导体展
3月26日下午，SEMICON China 2025国际半导体展在浦东开幕。深圳新凯来工业机器有限公司（以下简称新凯来）首次参展，并发布了5款工艺设备新品，包括外延沉积设备EPI（峨眉山）、原子层沉积设备ALD（阿里山）、物理气相沉积设备PVD（普陀山）、刻蚀设备ETCH（武夷山）、薄膜沉积设备CVD（长白山）。这些领域此前由国际龙头主导，新凯来有意打破固有竞争格局。
这家由深圳政府产业基金支持的半导体设备制造商成立于2022年，其母公司新凯来技术有限公司则成立于2021年，由深圳市重大产业投资集团全资控股。公司成立之初便在北京、上海、西安等地设立研发中心，并在全球招募顶尖技术人才。该公司核心团队成员多来自荷兰阿斯麦尔、美国应用材料等国际巨头，涵盖光刻、蚀刻、检测等关键领域的资深工程师。
尽管成立时间较短，但他们已展现出强烈的市场进取心，目前客户名单涵盖中芯国际、华虹集团等中国重量级晶圆厂，部份蚀刻设备已在功率半导体产线实现批量应用。
新凯来的目标是打造端到端的半导体制造解决方案，目前已构建起从材料研发、组件制造到系统集成的完整开发链条，尤其在28nm制程上已具备跟国际主流设备商同台竞技的能力。
技术布局：覆盖全产业链的核心装备
新凯来的产品线覆盖半导体制造的四大核心环节——工艺装备与量检测装备，形成从材料沉积、刻蚀、热处理到缺陷检测、量测的完整闭环。其产品矩阵以“山”为命名体系，既体现技术攻坚的雄心，也彰显对工艺精度的追求。
1. 工艺装备：突破国际垄断的关键技术
新凯来的工艺装备涵盖扩散、刻蚀、薄膜沉积三大方向，每个系列均针对先进制程需求设计，部分技术已达到国际领先水平。
扩散装备
EPI（峨眉山）系列：包括峨眉山1号、2号、3号，覆盖锗硅外延、磷硅外延、超晶格叠层外延等工艺。例如，峨眉山1号采用多分区温控与流控系统，实现外延膜层均匀性提升，核心部件自主可控，降低运营成本。其创新小腔室架构与智能调度算法，使设备稳定性与性价比显著优于进口设备。
RTP（三清山）系列：三清山2号与3号分别针对尖峰退火与均温退火场景。三清山2号通过大行程磁悬浮升降技术与高吸收反射板设计，将热预算降低30%，支持5nm以下制程的超浅源漏尖峰退火。而三清山3号则通过辐射式超低温测温技术，实现-50℃至1200℃的宽温区调控，满足先进存储芯片的退火需求。
2. 量检测装备：高精度工艺的“火眼金睛”
新凯来的量检测装备以光学检测、套刻量测、PX量测及功率检测为核心，填补国产设备在高端量测领域的空白。
光学检测
BFI（岳麓山）与DFI（丹霞山）：BFI采用自研深紫外宽谱光源与大NA物镜，可检测5nm以下的桥接、断线等缺陷，检出率高达99.9%。DFI则通过三通道暗场收集架构，实现每小时200片的高产率检测，适用于存储芯片的在线监控。
PC（蓬莱山）与MBI（莫干山）：PC设备支持无图案晶圆的30nm颗粒检测，而MBI则针对空白掩模，其超高洁净控制技术将检测误报率降至0.01%。
光学量测
DBO（天门山）与IBO（天门山）：DBO通过多波长融合算法，将套刻误差控制在1.5nm以内，支持EUV光刻的工艺闭环。IBO则结合近红外扩展与自适应算法，覆盖从28nm到3nm的全节点量测。
PX量测
AFM（沂蒙山）：全自动原子力显微镜可实现亚纳米级粗糙度测量，扫描速度达10mm/s，较传统设备提升5倍。
XPS/XRD/XRF（赤壁山系列）：XPS支持1nm超薄膜成分分析，XRD可解析单晶外延质量，XRF则实现多层金属膜厚的无损检测，三者组合覆盖材料表征全场景
功率检测
RATE-CP/KGD/FT系列：支持碳化硅晶圆、功率Die及模组的电性能检测，电压范围达10kV，电流精度0.1%，满足车规级芯片的严苛要求。
技术突破：直指5nm的国产替代
新凯来的技术实力在SEMICON China 2025展会上得到集中体现。其展出的18类工艺装备与多款量检测设备，覆盖7nm以下先进制程，部分产品性能比肩甚至超越国际同行。
值得注意的是，新凯来展出了一系列半导体设备，但未展示光刻机。新凯来工艺装备总裁杜立军在展会上公开表示“我们的工艺设备可以使用非光学技术来解决一些光刻问题”引发业内猜测。一些分析认为，这可能是为了保密，更有甚者推测新凯来可能跳过DUV直接研发EUV光刻机，目标直指5nm工艺。
去年3月，彭博社曾报道称，华为与一家名为“新凯来”的半导体设备厂商，为一种技术复杂度低，但能有效制造先进芯片的方法，申请了专利。这种方案在没有极紫外光的支持下，通过多重曝光，尝试生产5nm芯片。
尽管新凯来并未证实，但其设备已形成对光刻环节的间接支持（如套刻量测与缺陷检测），未来若在光刻领域取得突破，将彻底改变全球半导体设备格局。这一猜测基于中国半导体产业近年来对EUV技术的迫切需求，以及国际巨头如ASML对EUV设备的出口限制。
根据SEMI最新报告，2024年中国半导体设备采购额达320亿美元，占全球市场份额的28%，但国产设备渗透率不足15%。新凯来的崛起反映了中国在全球竞争中不断攀升的地位，其设备直指7nm以下先进制程，尤其ALD设备的开发可能打破国际巨头的技术壁垒。
产业影响：重塑全球供应链的中国力量
新凯来的崛起不仅打破国外巨头的技术垄断，更推动中国半导体产业链的自主化进程。其“端到端研发体系”覆盖材料、零部件、整机三大环节，核心部件自研率超过80%，大幅降低供应链风险。
此外，新凯来与中芯国际、长鑫存储等头部企业合作，加速国产设备验证周期。据公开数据，其2024年新增订单超57亿元，覆盖逻辑、存储、功率半导体等领域。随着5nm设备的逐步量产，新凯来有望在2025年后进入全球TOP5半导体设备供应商行列。
未来展望：从“追赶者”到“引领者”
新凯来的成功源于对技术趋势的精准把握与高强度研发投入。未来，其发展路径将聚焦三大方向：
1.先进制程攻坚：持续突破3nm以下工艺设备，完善EUV生态链。
2.泛半导体领域拓展：布局碳化硅、氮化镓等第三代半导体设备，抢占新能源市场。
3.全球化布局：通过海外研发中心与并购整合，构建跨国供应链与服务体系。
正如新凯来工艺装备总裁杜立军所言：“芯片工艺的演进需要设备与材料的协同创新，我们将以开放生态推动全产业链升级。” 在国产替代与技术自立的浪潮下，新凯来正以“中国速度”书写半导体装备的新篇章。
最后
自笔者参加工作以来，石油和半导体一直是中国海关进口大项，以2022年为例，石油进口额为3655.12亿美元，而半导体进口额则达到4155.79亿美元。石油、半导体两项轮番成为深圳海关最大宗进口商品，也促成深圳成为电子硬件之都，成就了许多优秀的科技企业。
2024年以来，中国公布了许多重大科技突破，此次深圳企业新凯来带来的6大类31款半导体设备新品，给市场打了一剂强心针，还为中国半导体产业的自主可控和产业升级提供了重要支撑，具有深远的战略意义。