码刻｜突破14nm工艺检测壁垒：矽行半导体TB2000明场纳米图形晶圆缺陷检测装备开启国产缺陷检测新纪元
3月26日，矽行半导体（下称“矽行”）研发的明场纳米图形晶圆缺陷检测装备TB2000正式通过厂内验证，将于SEMICON 2025展会（T0-117）现场正式发布。
这标志着公司半导体检测装备已具备14nm及以下先进制程的规模化量产检测能力。这是继TB1500突破40nm节点后，矽行在高端检测装备国产化进程中的又一里程碑。核心技术自主研发
TB2000采用全自主研发的高功率宽光谱激光激发等离子体光源系统、深紫外大通量高像质成像系统，配合高行频TDI相机、超精密高速运动平台，同时结合AI图像处理算法和Design CA，有效提升缺陷检测灵敏度和检测速度。
TB2000的发布，使矽行成为全球少数具备14nm及以下技术节点明场检测装备交付能力的厂商，逐步实现先进工艺中缺陷检测装备的国产替代。
当前矽行的产品矩阵已完成明场缺陷检测装备全制程覆盖，TB1000/TB1100（65-90nm）、TB1500（40nm）及TB2000（14nm）构建起完整的工艺节点适配体系，全面满足逻辑、存储等不同工艺客户产线上的明场缺陷检测需求。这种梯度化布局既保障了技术研发的商业闭环，又为持续突破更先进制程积蓄动能。从TB1000到TB2000的技术演进，折射出矽行向国际龙头追赶到并行的角色转变。