文章大纲
半导体材料存储供应链
·半导体耗材
·半导体材料市场概况
半导体相关工艺
·前驱体
·CMP技术
·抛光液
半导体材料
·硅片
·封装基板
半导体
半导体材料存储供应链
1.1 半导体耗材
半导体材料行业作为一种具有耗材属性的领域，其全球市场正呈现出稳步增长的趋势。在这一背景下，我国国产半导体材料不断实现技术突破，各类材料的发展势头强劲。从短期来看，下游晶圆厂的稼动率已度过低点，随着稼动率的逐步回升，材料公司的业绩也在逐步修复。在中长期维度上，有以下几个方面的观察：
（1）晶圆产能持续扩充，使得材料市场空间具有较高的弹性。随着产能的不断扩大，对半导体材料的需求也将持续增长，为行业带来更多发展机遇。
其次，国产供应商在料号种类和市场份额方面仍有较大的完善和提升空间。这意味着我国半导体材料企业可以通过技术创新和市场拓展，进一步提高市场占有率。
（2）拓宽电子材料品类布局，将为我国半导体材料行业打开多个增长曲线。通过丰富产品线，企业可以满足更多元化的市场需求，增强行业竞争力。综上所述，我们坚定看好国内半导体材料行业的发展前景，相信在政策支持、技术创新和市场需求的共同推动下，我国半导体材料行业将迎来更加辉煌的明天。
1.2 半导体材料市场概况
2024年，全球半导体材料市场规模有望刷新纪录，预计将达到约730亿美元的新高。这一预测基于TECHCET的数据和分析，尽管2023年全球经济放缓在一定程度上缓解了半导体供应链的紧张状况，但长期来看，全球晶圆厂的扩张和新器件技术的应用将持续推动材料市场的增长。具体来看，2023年全球半导体材料市场同比下滑了6%，然而在2024年，市场预计将实现近7%的同比增长，达到约730亿美元的规模。展望到2028年，市场规模更有望超过880亿美元。在此背景下，中国大陆半导体材料市场在全球的占比正在逐步提升。根据SEMI的数据，2021年全球半导体材料市场规模同比增长了15.9%，达到643亿美元的新高，其中中国大陆的市场规模占比提升至18.6%，成为仅次于中国台湾的全球第二大区域。
（1）在2023年，半导体材料公司的利润面临短期压力。包括沪硅产业、雅克科技、立昂微、兴森科技、鼎龙股份、彤程新材、南大光电、安集科技、金宏气体、上海新阳、晶瑞电材、华特气体、天承科技在内的多家公司，其营业总收入合计达到313.1亿元，同比仅增长0.7%，而归母净利润合计为30.1亿元，同比减少了23.7%。综合毛利率为29.2%，归母净利率为9.6%。然而，随着晶圆厂稼动率低点的过去，半导体材料公司的营收业绩正在逐步修复。在2024年第一季度，这十三家材料公司的营收合计为84.2亿元，同比增长了17.8%，环比增长了3.4%，合计归母净利润为5.9亿元，虽然同比下降了24.3%，但环比提升了78.8%。半导体材料公司利润短期承压的主要原因是晶圆厂去库存和稼动率低带来的不利影响。不过，我们注意到营收的季度同环比呈现上升趋势，随着未来下游需求的逐步恢复，我们有理由相信材料公司的业绩正在逐步恢复和增长的过程中。
（2）随着材料公司业绩的逐步修复，国内半导体材料行业的发展势头愈发强劲。政策扶持和技术创新的双轮驱动，为行业提供了源源不断的发展动力。在全球化竞争中，我国半导体材料企业正逐步提升自身的竞争力，不仅在产品质量上与国际先进水平接轨，而且在成本控制、供应链管理等方面也展现出显著优势。
（3）国内半导体材料行业将面临以下几个发展机遇：首先，随着5G、人工智能、物联网等新兴技术的快速发展，半导体材料的应用场景将更加广泛，市场需求将持续增长。其次，国家对于半导体产业的重视程度不断提高，政策红利将进一步释放，为行业发展创造有利条件。再者，国内企业在技术研发上的投入不断加大，有望在关键材料领域实现更多突破，从而降低对外部依赖。
（4）在这样的背景下，国内半导体材料企业应抓住机遇，迎难而上。一方面，加强与产业链上下游企业的合作，优化产业布局，提高市场响应速度。另一方面，加大研发投入，培育核心竞争力，努力实现国产替代。此外，还要关注环保和可持续发展，推动半导体材料行业的绿色转型。我国半导体材料行业在经历了短暂的调整后，正重新焕发生机。在政策、市场、技术等多重因素的共同作用下，国内半导体材料行业将迎来一个更为广阔的发展空间，为我国半导体产业的崛起贡献重要力量。
（5）在半导体材料行业中，企业的人均创收水平已经显现出一定的规模，其中安集科技和彤程新材等公司的人均年创收均已突破200万元。这一数据不仅反映了企业的高效运营能力，也体现了行业整体的发展水平。在持续的研发投入方面，13家材料公司在2018年至2023年的六年间，累计投入研发费用高达89.6亿元，显示出企业对于技术创新和产品升级的重视。这一期间，研发费用率也呈现出持续上升的趋势，进一步证明了半导体材料公司在拓宽产品品类、提升技术实力方面的决心和努力。这些投入不仅为企业积累了宝贵的知识产权和技术储备，也为行业的长远发展奠定了坚实的基础。
工艺
半导体相关工艺
2.1 前驱体
前驱体在化学气相沉积薄膜工艺中扮演着关键角色，该工艺主要包括原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）两种成膜技术。原子层沉积（ALD）是一种高度精确且可控的薄膜制造技术，它通过将气相前驱体以脉冲形式交替送入反应器，在沉积基体上实现吸附和反应，从而逐层构建薄膜。在这一过程中，每个前驱体脉冲之后，都会使用惰性气体对反应器进行清扫，以确保下一层的沉积不会受到前一层残留物质的影响，如此循环往复，形成具有精确厚度和优异均匀性的多层薄膜。ALD技术的优势在于其能够实现精确的薄膜厚度控制，确保薄膜的均匀性和同质性，同时还具备在大面积基底上进行沉积的能力。
化学气相沉积（CVD）技术则是利用气态物质通过化学反应在基底表面形成固态薄膜。CVD的特点在于其较高的成膜速率，能够制备出纯度高、致密性好、应力小且表面平滑的薄膜。这些特性使得CVD技术在半导体制造等领域具有重要的应用价值。无论是ALD还是CVD，这两种技术都为半导体材料的薄膜制备提供了强有力的手段，各自的特点和应用优势使得它们在精密制造领域各显风采。
原子层沉积（ALD）技术以其卓越的均匀性、极佳的保护性和原子级别的光滑度而著称。作为一种基于有序、表面自饱和反应的化学气相薄膜沉积技术，ALD在薄膜制备过程中展现了其独特的优势。在ALD工艺中，每一次反应虽然不一定仅沉积单个原子层，但其对薄膜厚度的控制却能达到极高的精确度，从而在晶圆上实现卓越的均匀性。这种精确控制不仅体现在薄膜的厚度上，还体现在薄膜的质量和结构上。
ALD技术的另一个显著特点是它能够制造出与晶圆形状高度吻合的薄膜层。这意味着在器件图形的顶部、侧面和底部，ALD能够均匀地沉积相同厚度的薄膜，这种优秀的保形性对于形成高纵横比和三维结构的应用至关重要。它使得ALD成为半导体制造中不可或缺的技术，尤其是在复杂微电子器件的制备上。
ALD技术所制备的薄膜表面具有易于控制的化学成分，这使得薄膜能够达到原子级别的光滑度。这种高度光滑的表面不仅有助于提高器件的性能，还能减少表面缺陷和污染，从而提升整体器件的可靠性和稳定性。因此，ALD技术在追求高性能、高精度薄膜制备的领域中，无疑是一种极具价值的技术选择。
随着线宽的不断缩小和深宽比的不断增加，原子层沉积（ALD）技术的重要性愈发凸显。ALD技术最初由芬兰科学家提出，并应用于制造多晶荧光材料ZnS:Mn和非晶Al2O3绝缘膜，主要服务于面板制造行业。然而，由于表面化学过程的复杂性以及沉积速度的缓慢，在20世纪80年代中后期，ALD技术并未实现实质性的突破。直到20世纪90年代中期，随着微电子和深亚微米芯片技术的发展，对器件和材料尺寸的缩小要求日益严苛，深宽比也随之提升，所需材料的厚度降低至几个纳米的数量级。ALD技术以其原子级的精度控制薄膜厚度，同时保持优异的均匀性和覆盖率，完美满足了高度集成的微电子器件对材料性能的苛刻要求。
制程节点结构的升级和存储器的3D堆叠趋势，进一步推动了前驱体的需求增长。得益于7nm以下逻辑产能的提升、3D NAND堆叠层数的增加以及DRAM制造发展到EUV光刻阶段，根据TECHCET的统计数据，2021年全球原子层沉积（ALD）/化学气相沉积（CVD）前驱体市场同比增长了21%，达到13.9亿美元，并预计在2022年将增长12%，达到近15.6亿美元。从不同品类的角度来看，随着整个产业对ALD/CVD工艺新材料的需求日益增长，半导体前驱体市场的规模持续扩大。TECHCET预计，在未来五年内，金属类前驱体的复合增速将达到7%，High K前驱体的年复合增长率为5%，而介电材料前驱体的年复合增长率则将达到8%，这些数据预示着ALD技术及相关前驱体市场未来的广阔发展前景。
在全球半导体前驱体材料领域，国外企业深耕多年，市场集中度相对较高。这一领域的技术门槛高，开发难度大，使得全球半导体工艺用的前驱体供应厂商主要集中于几家海外企业。其中包括德国的默克、法国的液化空气、美国的英特格、日本的Tri Chemical、以及韩国的Soul-Brain、DNF、Hansol Chemical等。这些企业在市场上占据着显著的地位，凭借其技术优势和产品稳定性，长期主导着全球市场。
相比之下，国内企业在半导体前驱体材料领域的发展起步较晚，但近年来已经取得了一定的进展。目前，国内的主要半导体前驱体材料供应商包括雅克科技、南大光电、中巨芯等。根据市场数据，2022年默克的市场份额达到了33.48%，液化空气的市场份额为29.6%，而SK Material的市场份额也接近7%。从整体来看，半导体前驱体市场呈现出高度集中的态势，全球前三大企业的市场份额合计高达70%。
中国作为半导体用前驱体的主要市场之一，其市场潜力巨大。根据新思界产业研究中心和QY Research的统计，2021年，上述三家国外企业在中国的市场占有率合计达到了76%。这一数据表明，尽管国内企业在该领域的发展正在加速，但进口替代市场的空间仍然十分广阔。随着国内技术的不断进步和产业链的完善，未来国内企业在半导体前驱体材料市场中的份额有望进一步提升
2.2CMP技术
化学机械抛光（CMP）是晶圆制造过程中实现表面平坦化的关键工艺。该技术通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，高效去除晶圆表面多余材料，并实现全局纳米级的平坦化。在化学机械抛光过程中，抛光液中的化学反应剂与材料表面发生反应，将难以溶解的物质转化为易溶物质，或者软化高硬度的材料，从而生成易于去除的物质。与此同时，机械磨削作用则是通过晶圆表面对抛光垫的相对运动，利用研磨液中的磨粒与材料表面产生机械物理摩擦，将化学反应过程中生成的易去除物从表面移除，并随着流动的液体被带走。
CMP工艺的效果直接关系到芯片的质量和成品率，因此它成为了先进集成电路制造前道工序、先进封装等环节中不可或缺的关键制程工艺。通过精确的CMP工艺，晶圆表面可以达到全局平整落差在100Å至1000Å（相当于原子级的10至100纳米）的超高平整度，这对于后续电路图案的精确转移和器件性能的稳定性至关重要。因此，CMP工艺在半导体制造领域扮演着至关重要的角色，其技术水平的高低直接影响了整个行业的发展。
化学机械抛光（CMP）技术在半导体行业中有着广泛的应用，它横跨硅片制造、晶圆加工以及先进封装等多个领域。在晶圆制造的前道加工环节，CMP是七个相互独立的工艺流程之一，这些流程包括光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光以及金属化。CMP技术在这些工艺中起到了桥梁的作用，尤其是在衔接不同薄膜工艺方面。
在晶圆制造的过程中，CMP工艺可以根据其应用阶段被分为前段制程（FEOL）和后段制程（BEOL）。在前段制程中，CMP主要用于浅沟槽隔离和多晶硅的抛光，而在后段制程中，则主要用于层间介质、金属间介质以及金属层铜互连的抛光。这些步骤对于确保晶圆表面的平坦度和电路的连通性至关重要。
在先进封装领域，CMP工艺的应用也在逐渐扩展。随着封装技术的发展，如硅通孔技术、扇出技术、2.5D转接板和3D IC等，对引线尺寸的要求越来越小，越来越细。这些技术的发展引入了刻蚀、光刻等工艺，而CMP作为每道工艺间的抛光工序，因其能够提供所需的表面平坦度和清洁度，因此在先进封装环节中得到了广泛的应用。CMP工艺在这一领域的应用，不仅提高了封装的精度，也推动了整个半导体行业向更高技术水平的发展。
化学机械抛光（CMP）耗材市场的增长速度超过了晶圆制造材料的整体市场，其市场份额也在持续提升。根据TECHCET的数据，2022年全球CMP耗材收入达到了35亿美元。尽管受到DRAM供应过剩和市场整体调整的影响，2023年CMP耗材市场预计将减少2.4%，但展望未来，从2022年到2027年的五年间，CMP耗材市场的复合年增长率预计将达到5.2%。与此同时，SEMI的数据显示，晶圆制造材料的销售额达到了447亿美元，据此计算，2022年CMP耗材（包括抛光液和抛光垫）的市场占比达到了7.8%。如果将抛光后的清洗液、钻石碟等其他相关产品纳入计算，CMP耗材的市场占比将更高，较2018年SEMI统计的7%提升了近1%。
细分市场来看，2022年全球CMP Slurry市场规模突破了20亿美元，而CMP PAD的全球市场规模则接近15亿美元。根据观研网2021年全球及中国抛光垫/液市场规模比例0.18/0.21（以6.36汇率计算）以及TECHCET的数据，可以测算出2022年中国CMP PAD/Slurry市场规模分别为2.6/4.3亿美元。这表明中国CMP材料的增速较快，高于全球平均水平。假设到2027年中国抛光垫/抛光液在全球市场的占比分别为0.25/0.28，根据TECHCET的数据，预计2027年全球CMP Slurry/PAD市场规模将达到26.3/18.3亿美元，届时中国CMP PAD/Slurry市场规模将达到4.6/7.4亿美元。这些数据反映出中国CMP材料市场的迅速扩张和未来增长的巨大潜力
随着芯片制程技术的不断升级，万片产能所需的CMP次数及材料用量也在持续上升。国际上先进的芯片制程技术正从7-5纳米阶段向3纳米、2纳米甚至更先进的工艺方向发展。目前，台积电的3纳米芯片已成功实现量产，并且预计到2025年将实现2纳米芯片的量产。这一制程技术的升级不仅推动了晶圆制造技术的提升，也导致了CMP工艺步骤的大幅增长，进而使得CMP抛光材料的消耗量显著增加。
根据Cabot微电子的数据，对于14纳米以下的逻辑芯片工艺，关键的CMP工艺步骤将超过20步，所使用的抛光液种类也将从90纳米工艺时的五六种增加到二十种以上，种类和用量的增长速度非常快。在7纳米及以下逻辑芯片工艺中，CMP抛光步骤的数量甚至可能达到30步，使用的抛光液种类接近三十种。随着先进制程技术在整体市场中的占比提高，单颗芯片的CMP耗材用量也在快速提升。这一趋势表明，随着制程技术的进步，CMP耗材市场将迎来更加广阔的发展空间和更高的市场需求。
随着3D NAND层数的不断增加，CMP抛光步骤数也在接近翻倍。传统的2D存储器件在集成电路中已经接近物理极限，因此NAND闪存技术已经进入了3D时代。在3D NAND的制造工艺中，增加集成度的主要方法已经不再是缩小单层上线宽，而是通过增加堆叠的层数。例如，2022年美光实现了323层3D NAND的量产，而三星在2022年底开始批量生产236层的产品，并计划于2024年量产超过300层的第9代3D NAND。SK海力士在2023年发布了其321层的4D NAND，预计将在2025年实现量产。按照三星的规划，到了2030年，闪存的堆叠层数将超过1000层。
随着3D NAND层数的增加，CMP抛光步骤也在不断增多。相较于2D NAND，3D NAND的抛光次数几乎翻倍。例如，64层3D NAND的抛光次数接近32次。这一趋势表明，随着3D NAND层数的增加，CMP工艺在集成电路制造中的重要性也在不断上升。CMP技术的发展和优化对于满足3D NAND制造过程中的高精度抛光需求至关重要，其技术的进步将直接影响到3D NAND的性能和成本。
2.3抛光液
CMP抛光液是一种混合物，它包含了研磨材料和化学添加剂，其作用是通过化学反应在晶圆表面形成一层氧化膜，然后利用抛光液中的磨粒将这层氧化膜去除，从而实现晶圆表面的抛光。在集成电路制造领域，CMP抛光液的应用范围非常广泛，除了用于晶圆的抛光之外，还涉及到氧化层(Oxide CMP)、多晶硅(Poly CMP)、金属层(Metal CMP)等不同工艺环节。
根据应用的不同工艺环节，CMP抛光液可以分为多种类型，包括硅抛光液、铜及铜阻挡层抛光液、钨抛光液、介质层抛光液、浅槽隔离(STI)抛光液以及用于先进封装的硅通孔(TSV)抛光液等。这些抛光液被用于抛光的材料包括层间绝缘膜、硅、阻隔金属、Al、铜等。每种抛光液都针对特定的材料和工艺需求进行了优化，以确保抛光效果的最佳化。随着半导体制造技术的不断进步，对CMP抛光液的性能和适用性也提出了更高的要求，推动着该领域技术的持续创新和发展。
抛光液的配方设计是一个复杂且具有挑战性的过程，其成分多样且比例不唯一，需要经过长期的试错和调整才能达到理想的抛光效果。由于不同客户在同一技术节点的工艺技术可能存在差异，因此抛光液的配方也会有所不同，这进一步增加了配方设计的难度。随着先进制程技术的推进，对抛光液的种类和性能提出了更高的要求，从而使得配方设计的难度进一步加大。
在成本方面，原材料占据了抛光液总成本的超过70%，其中研磨粒子是关键原料，占总成本的超50%。研磨粒子主要包括三氧化二铝、气相二氧化硅和二氧化铈等品类，这些材料是决定抛光液性能的关键。2021年，氧化铝基抛光液在市场上的占比超过了38%。然而，目前关键原材料的核心工艺技术主要由海外巨头垄断，这意味着要实现公司的长远发展，不仅需要进行抛光液配方的研发，还需要同时进行核心原材料的布局，这进一步提高了行业的进入门槛
材料
半导体材料
3.1硅片
半导体硅片是半导体制造过程中的关键材料，承载着半导体器件的制作。晶圆厂通过一系列加工工序，如光刻、刻蚀、离子注入等，将硅片转化为最终的芯片。这些硅片是由高纯度的硅（纯度达到9N-11N）切割而成的薄圆盘，它们是从圆形硅锭中切出的。经过仔细的抛光和清洁处理后，这些圆盘形成了完整的晶圆。
（1）根据产品的种类，半导体硅片可以分为抛光片、外延片和SOI（绝缘体上硅）片等。抛光片还可以根据掺杂元素的浓度不同进一步分为轻掺抛光片和重掺抛光片。轻掺抛光片由于掺杂较少，电阻率较高，主要应用于集成电路领域。而重掺抛光片由于掺杂较多，电阻率较低，主要用于功率器件等领域。通常，重掺抛光片需要经过后续的外延加工才能应用，而轻掺抛光片则可以直接使用。外延片是通过在抛光片上进行外延生长形成的半导体硅片。
在尺寸方面，半导体硅片一般可以分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸和12英寸等规格。不同尺寸的硅片适用于不同的半导体制造需求，例如，小尺寸的硅片更适合于高精度的微电子器件，而大尺寸的硅片则更适合于大规模生产。随着半导体技术的发展，对硅片尺寸的要求也在不断提高，以满足日益增长的制造需求
（2）随着硅片行业的逐步发展，市场供需正在趋向平衡，其中人工智能（AI）的发展成为了推动这一趋势的重要力量。根据SUMCO的预测，从2023年到2026年，12英寸硅片的需求将以年均复合增长率（CAGR）4.8%的速度增长。尽管公司预计2024年的需求与供给比例将较2023年略有下降，下滑幅度为1个百分点，但在2025年和2026年，这一比例将从82%分别上升至92%和101%。这种对未来两年的乐观预期主要基于以下几点：首先，由于更高的铝（Al）性能和计算能力的提升，所需的硅片面积有所增加；其次，对于AI服务器的需求预测保持乐观，这将带动前沿晶圆的需求；最后，随着AI技术在个人电脑和手机中的应用，对于前沿逻辑晶圆的需求也在不断提升。这些因素共同作用，为硅片行业的未来发展提供了强有力的支撑
（3）在硅片行业的竞争版图中，市场集中度极高，其中前五大厂商的市场份额（CR5）接近90%，形成了寡头垄断的格局。这些厂商分别是日本的信越化学和SUMCO、中国台湾的环球晶圆、德国的Siltronic以及韩国的SK Siltron，它们长期占据着市场的主导地位。与此同时，国内企业如沪硅产业和立昂微等也在积极追赶，不断加强自身的市场竞争力。在2023年，半导体硅片行业的总收入达到了59亿元，其中沪硅产业在12英寸硅片领域取得了显著进展，其产品线涵盖了抛光片及外延片。特别是其子公司上海新昇，正在推进的新增30万片/月300mm半导体硅片产能建设项目已经实现了新增产能15万片/月，使得公司的300mm半导体硅片总产能达到了45万片/月。展望2024年，预计该公司的产能将进一步增长，达到60万片/月，这标志着国产厂商在建设12英寸硅片产能方面的持续努力和进步。
3.2封装基板
封装基板在集成电路封装领域扮演着至关重要的角色，作为芯片封装的核心组成部分，它不仅承担着保护、固定和支撑芯片的功能，还显著提升了芯片的导热散热性能，确保了芯片在物理层面的安全性，防止了损坏。此外，封装基板的多重连接作用也是其不可或缺的特性，其上层与芯片紧密相连，下层则与印刷电路板（PCB）相接，从而实现了电气和物理连接、功率分配、信号分配，以及芯片内外电路的沟通。由于IC载板与芯片之间存在高度的相关性，不同类型的芯片往往需要专门设计的IC载板来与之匹配。在封装成本构成中，IC载板在中低端封装中占据了材料成本的40-50%，而在高端封装中的比重更是显著。
（1）在接下来的五年内，IC封装基板预计将成为PCB行业中增长最为迅猛的品类，预计到2027年，其市场规模将达到223亿美金。观察产品结构，2022年全球IC封装基板行业的整体规模已经达到了174.15亿美金，同比增长了20.9%，这一增速在PCB行业的所有细分子行业中位居首位。特别是在中国市场，包括外资厂商在国内设立的工厂在内，IC封装基板行业的整体营收规模为34.98亿美金，同比增长了33.4%，显示出持续快速增长的强劲势头。根据Prismark的预测，IC封装基板在2022年至2027年间的复合年增长率（CAGR）将达到5.1%，并在2027年成为PCB行业中市场份额最大的细分品类。与此同时，HDI板的增长同样不容小觑，其2022年至2027年的CAGR预计为4.4%，到2027年市场规模有望达到146亿美金，进一步证明了PCB行业细分市场的活力和发展潜力。
（2）BT载板和ABF载板是IC封装基板市场上的主流产品。这些封装基板的结构由导电层和绝缘层构成，其中导电层被绝缘层有效地隔开，形成了复杂的电路布局。绝缘材料主要分为有机基板和无机基板（如陶瓷封装基板）两大类。有机封装基板在消费电子产品领域得到了广泛应用，而无机封装基板则因其高可靠性，更多地被用于军事和其他对性能要求严格的领域。有机封装基板可以根据所用材料的不同，进一步分为刚性和柔性两种类型。刚性封装基板通常采用BT树脂、ABF材料和环氧树脂等刚性材料制成，而柔性封装基板则采用PI等柔性材料。BT载板因其卓越的耐热性和抗湿性，以及在介电性能上的优势，成为了市场上备受青睐的选择。这些特性使得BT载板在保持电路稳定性的同时，还能满足电子产品对高性能封装基板的需求。
（3）随着IC封装基板朝着多层化、大尺寸化和高密度化的发展，其生产工艺面临着更为严峻的挑战。目前，影响封装基板良率的主要有三个因素。首先，IC基板的层数不断增加，以满足日益复杂的封装集成需求。其次，为了支撑这种复杂性，基板的尺寸也在不断扩大。最后，随着线宽线距等特征尺寸的持续微缩，基板上的互连密度也在不断提高。在IC封装基板的生产过程中，主要采用的是半加成法（SAP）。当使用减成法制作线路时，一旦线宽线距降至50μm/50μm以下，侧蚀等问题便会对图形的精细化、良率的提升以及阻抗控制等方面造成影响。相比之下，半加成法则更加适用于制作10μm/10μm至50μm/50μm范围内的精细线宽线距，这种方法能够在保持高精度和高良率的同时，满足高密度互连的技术要求。