三星或取消1.4nm工艺，晶圆代工业务陷入困境
2022年三星在“Samsung Foundry Forum 2022”上，公布了未来的技术路线图。其中首次公开了SF1.4（1.4nm级别）工艺，预计2027年量产。按照三星的说法，SF1.4将增加纳米片的数量，从3个变成4个，有望显著改善性能和功耗的表现。此外，还传闻SF1.4的EUV曝光层数将超过30层。据Notebookcheck报道，过去几年里，三星在先进制程研发和量产上遇到了诸多问题，现在可能面临更大的危机，变得更为糟糕。按照原计划，SF1.4将与SF2A（专注于车用芯片）和SF2Z（首个集成经过优化的“BSPDN（背面供电网络）”技术）在2027年出现，理论上SF1.4延期的可能性不大，但是现在有可能会被完全放弃。如果三星真的取消SF1.4，那么可能会严重影响其技术路线图。有消息称，这一决定是三星在SF3持续的良品率问题，并且关闭了未充分利用的5/7nm工艺产线后做出的。另外接下来的SF2情况也不太好，暂时还不能确定Exynos 2600是否能成功量产，虽然接收到了来自日本人工智能（AI）初创公司Preferred Networks Inc.（PFN） 的订单，但是未能吸引中国以外的主要客户。三星或许会优先考虑提升现有制程节点的良品率，而不是追求先进制程的研发，不过这种做法可能会在高性能计算（HPC）及人工智能芯片市场的竞争中处于劣势，而且外界对三星的信心也会持续下降。
好惨啊三星……算下来我已经听三星吹了快4年了，从3nm反超吹到2nm反超，结果钱花不少，到现在别说反超了，跟都跟不上了，正在研发中的1.4nm工艺应该也流产了…… 此前就有消息称三星芯片制造业务已经开始出现人员流失，现在看来应该是真的了，不知道未来三星还有没有机会呀……
这次终于能通过了吗？三星HBM3E或6月初获得英伟达认证
从2023年10月开始，三星就一直在为旗下的HBM3E通过英伟达的质量验证而努力，但是一年多里，无论是8层堆叠还是12层堆叠的产品在芯片性能方面都未能满足英伟达的要求。去年10月，三星还罕见地向投资者致歉，承认HBM3E向主要客户供应的时间晚于预期，对业绩产生了负面影响。英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋在今年初的CES 2025上，表示三星必须开发出一种“新设计”，以便通过验证。据TrendForce报道，近日有消息人士透露，三星修改了HBM3E的设计后，改善了散热效果，在英伟达最新的审查当中获得了高分。传闻英伟达上周到访三星的封装厂，对HBM3E进行了最终的质量测试。三星有可能在2025年5月底至6月初获得英伟达的认证，并有望在2025年上半年内量产HBM3E。除了英伟达外，三星还致力于第二季度之前获得其他主要客户的资格认证。对于三星来说，无论如何都必须努力缩小与主要竞争对手之间的差距。SK海力士作为英伟达的主要HBM供应商，已经大批量提供8/12层堆叠的HBM3E芯片，而且还打算今年上半年向英伟达提供16层堆叠的HBM3E进行认证。与此同时，美光已经开始量产12层堆叠的HBM3E，并且很快会向英伟达供货。 好像还有别的方面能补充一下三星的亏损，昨天我们聊了NVIDIA视察三星HBM3E，今天就有消息称三星有可能在2025年5月底至6月初获得英伟达的认证，开始正式供货。能不能成功给NVIDIA供货，似乎将事关三星的生死存亡，去年三星就错过了HBM3的订单，希望这次不会。传SK海力士与英伟达达成协议，独家供应Blackwell Ultra使用的12层HBM3E
英伟达将于2025年3月17至21日在美国加利福利亚州圣何塞举办GTC 2025活动，创始人兼首席执行官黄仁勋将登台亮相，在北京时间3月19日凌晨1点举行主题演讲。在这次GTC 2025活动上，预计英伟达将推出基于Blackwell Ultra架构的GB300。据TrendForce报道，SK海力士已经与英伟达达成了协议，将独家供应Blackwell Ultra使用的12层堆叠HBM3E，预计会进一步巩固其在HBM领域的领导地位。同时SK海力士也在英伟达下一代Rubin架构GPU的HBM4供应上处于领先位置，传闻2025年6月之前将出货HBM4样品，预计第三季度就能开始量产。虽然最新消息称，三星的8/12层堆叠HBM3E有可能在2025年5月底至6月初获得英伟达的认证，并有望在2025年上半年内量产HBM3E。不过比起SK海力士，三星还是要落后太多。SK海力士早在2024年3月就量产了8层堆叠HBM3E，同年9月又量产了12层堆叠HBM3E。SK海力士的12层堆叠HBM3E采用了12颗3GB DRAM芯片，与现有8层产品相同厚度下，容量提升50%，实现了现有HBM产品中最大的36GB容量。为了实现此目标，SK海力士将单个DRAM芯片制造得比以前薄40%，并采用硅通孔技术（TSV）技术垂直堆叠。SK海力士还解决了将变薄的芯片堆叠更多时产生的结构性问题，将MR-MUF工艺应用到新产品中，放热性能较上前一代提升了10%，并增强了控制翘曲问题，从而确保了稳定性和可靠性。外界估计，GB300将是英伟达在GTC 2025上的亮点，其逻辑结构与GB200相似，共有8个12层堆叠的HBM3E模块，容量达到288GB。 但SK海力士算是彻底和NVIDIA绑定了，抱上了大腿。作为最早完成HBM3和HBM3E开发的厂家，它稳定的供应和较好的质量也是能和NVIDIA绑在同一条船上的资本。
考虑到Blackwell Ultra作为半代升级产品的属性，应该也不会有多少产量，不知道NVIDIA是看中了性能，还是打算将Blackwell Ultra作为12层HBM3E的试验田呢？？
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