1.宏微科技于2025年3月1日接待了华安基金、广发基金等9家机构调研。
2.公司在新能源汽车领域取得了显著进展，控股子公司芯动能成功下线第100万只车规级电驱双面散热塑封模块。
3.宏微科技推出的GVD模块和800V高压平台产品已批量交付，形成了灌封与塑封模块双轨并行的产品结构。
4.此外，公司与华虹宏力签署为期五年的《战略合作谅解备忘录》，双方在IGBT与FRD等核心产品方面继续深入合作。
5.宏微科技看好功率器件在机器人行业的未来应用场景及发展空间，认为随着人形机器人产业化加速，第三代半导体渗透率将持续提升。
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2025年3月18日，宏微科技披露接待调研公告，公司于3月1日接待华安基金、广发基金、国联基金、国联民生证券、华泰证券等9家机构调研。
公告显示，宏微科技参与本次接待的人员共1人，为董事会秘书马君。调研接待地点为公司四楼会议室及线上等。
据了解，宏微科技在新能源汽车领域取得了显著进展，其控股子公司芯动能成功下线第100万只车规级电驱双面散热塑封模块，成为国内第二家具备大规模量产能力的半导体公司。公司推出的GVD模块和800V高压平台产品已批量交付，形成了灌封与塑封模块双轨并行的产品结构。宏微科技依托第七代IGBT技术和SiC MOSFET芯片研发成果，深化与核心车企合作，积极拓展新兴客户，以期在车规产品市场中占据更大份额。
公司M7i产品在性能上相较于第六代有显著提升，电流密度提升20%，开关损耗降低10%，最高工作温度达到175℃。宏微科技在第三代半导体领域也取得了技术突破，车规级1200V SiC自研模块正在研制中，SiC混合模块已在新能源汽车等领域应用，1200V SiC MOSFET芯片研制成功并实现小批量出货。
在产业链协同方面，宏微科技与华虹宏力签署了为期五年的《战略合作谅解备忘录》，双方将在IGBT与FRD等核心产品方面继续深入合作，共同推动市场竞争力提升。此外，宏微科技控股并主导设立的子公司上海宏微爱赛半导体有限公司正式成立，未来将聚焦碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)以及高压大电流产品方向，加速技术产业化进程。
最后，宏微科技看好功率器件在机器人行业的未来应用场景及发展空间，认为随着人形机器人产业化加速，第三代半导体渗透率将持续提升，功率器件有望成为智能化浪潮下的核心受益环节。公司IGBT模块已应用于机器人场景，未来将结合SiC/GaN技术优势，适时加大在热管理、电源管理等环节的投入，进一步拓展新兴应用场景。
调研详情如下：
1、公司在新能源汽车领域的进展和战略布局如何?
2024年年底,公司控股子公司芯动能第100万只车规级电驱双面散热塑封模块成功下线,成为国内第二家拥有大规模量产车规级双面散热塑封模块能力的半导体公司。该模块采用双面焊接、双面散热技术,封装形式兼容IGBT和SiC MOSFET芯片,同时在电学、热学特性及可靠性方面表现出色,能够满足200KW以内电机控制器的市场需求。
同时,公司2024年上半年推出的GVD模块(适用于增程式车型)及800V高压平台产品已批量交付,形成灌封与塑封模块双轨并行的产品结构。未来,公司将依托第七代IGBT技术迭代及SiC MOSFET芯片研发成果,深化与核心车企合作,积极拓展新兴客户,力求在车规产品市场中占据更大的份额。
本回复不构成任何投资建议,具体信息请以公司披露的临时公告与定期报告为准。
2、公司M7i的性能如何?相较第六代有何先进之处?
公司围绕超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术等核心技术不断创新,产品全面覆盖新能源汽车、新能源发电、储能和工业控制需求,持续围绕微沟槽IGBT技术、虚拟原胞技术、逆导IGBT技术等多项第七代功率芯片关键技术进行创新,已实现关键性能指标对标国际先进水平,全面覆盖650V/750V/1000V/1200V电压等级,在新能源汽车电机控制器和新能源发电等领域实现规模化应用。相较M6i,电流密度提升20%,开关损耗降低10%,最高工作温度达175℃。
本回复不构成任何投资建议,具体信息请以公司披露的临时公告与定期报告为准。
3、公司第三代半导体的技术突破与商业化进程如何?
宏微科技在持续迭代硅基功率器件产品的基础上,加速推进产业链延伸和产品布局。第三代半导体是公司战略布局的重点方向之一,公司已经在衬底、芯片、器件和模块等不同维度上进行了较为完整的技术布局。
近年来,公司第三代半导体取得了多项技术突破。在电动汽车领域,车规级1200V SiC自研模块正在研制中,对应的银烧结工艺已通过可靠性验证。在封装市场,SiC混合模块已在新能源汽车、UPS电源等领域应用。同时,1200V SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证并实现小批量出货;自主研发的SiC SBD(肖特基势垒二极管)芯片通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证,部分产品已形成小批量出货。
此外,由公司控股并主导设立的子公司——上海宏微爱赛半导体有限公司于2024年12月正式成立,未来聚焦碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)以及高压大电流产品方向,联合科研机构探索高附加值场景,有望加速技术产业化进程。
本回复不构成任何投资建议,具体信息请以公司披露的临时公告与定期报告为准。
4、近日公司在产业链协同方面的进展如何?
2025年年初,公司与华虹宏力签署为期五年的《战略合作谅解备忘录》,明确在IGBT与FRD等核心产品方面继续深入合作。双方通过联合成立研发项目组,共同致力于技术创新和平台优化,通过加强研发、优化工艺,在技术开发和市场拓展方面协同推进,共同推动市场竞争力提升,助力国内功率半导体产业链的完善。
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5、如何看待功率器件在机器人行业的未来应用场景及发展空间
功率器件是机器人高效运行的核心,主要应用于电机驱动、电源管理及热控制等环节。例如,工业机器人手臂依赖IGBT模块实现高扭矩输出,而协作机器人采用GaN器件缩小驱动器体积。未来,随着人形机器人产业化加速,第三代半导体渗透率将持续提升,功率器件有望成为智能化浪潮下的核心受益环节。目前,公司IGBT模块已应用于机器人场景,但营收占比较小,未来将结合SiC/GaN技术优势,适时加大在热管理、电源管理等环节的投入,进一步拓展新兴应用场景。
本回复不构成任何投资建议,具体信息请以公司披露的临时公告与定期报告为准。