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台积电、三星、英特尔2nm战局

AI划重点 · 全文约1545字,阅读需5分钟

1.台积电计划自2025年1月起调整3nm、5nm先进制程及CoWoS封装工艺价格,涨幅为3%-20%。

2.台积电3nm制程主要产能集中在中国台湾省南部科学园区晶圆十八厂,预计2025年3nm营收有望超越5nm。

3.除此之外,台积电在美国亚利桑那州的第一座晶圆厂已于2024年第四季度进入大规模生产阶段,第二座和第三座晶圆厂的建设计划也在顺利推进。

4.三星的先进制程主要分布在韩国华城工厂、京畿道平泽工厂,以及美国泰勒工厂,但3nm工艺一直受良品率问题困扰。

5.英特尔3nm产能情况没有太多披露,但已在美国俄勒冈州进行大批量生产,2025年大批量生产将转移到欧洲爱尔兰工厂。

以上内容由腾讯混元大模型生成,仅供参考

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据悉,台积电计划自2025年1月起调整3nm、5nm先进制程及CoWoS封装工艺价格。3nm、5nm先进制程订单涨价3%-8%,AI高性能计算产品订单涨幅或达8%-10%,CoWoS先进封装服务涨价10%-20%。


先进制程一直是半导体人比较关注的话题。在晶圆代工市场中,目前持续推进7nm以下先进制程的大厂,全球仅剩下台积电、三星与英特尔等少数厂商。


本文着重梳理一下当下全球3nm的产能情况,以及以台积电为代表的三家巨头在2nm以下制程技术的布局。



01

全球3nm的产能情况

一往无前的台积电

2024年四季度,台积电3nm的营业收入占比已达到26%,且过去四个季度,3nm的营业收入呈现逐季快速增长的态势。

图片

图源:台积电公告

台积电的3nm制程主要产能集中在中国台湾省南部科学园区晶圆十八厂。


晶圆十八厂为3nm、5nm厂区,近年因应客户需求,陆续将5nm产能转换至3nm。随着晶圆十八厂 P8厂区于2024年下半年加入投产及客户强劲需求加持下,2025年的3nm营收有望超越5nm。


近期供应链消息指出,台积电晶圆十八厂 P9厂区CUP(Central Utility Plant)新建工程已准备进行,通常做为Fab晶圆制造及无尘室的前期准备工程,为扩充3nm产能做准备。供应链认为,Fab栋最快会在2025年第二季动工。


另外,台积电在美国亚利桑那州第一座晶圆厂已于2024年第四季度进入大规模生产阶段。该工厂采用4nm制程技术,目前良率与台湾地区的晶圆厂相当,预计2026年第一季月产量将达3万片左右。亚利桑那州的第二座和第三座晶圆厂的建设计划也在顺利推进。未来这些晶圆厂将根据客户需求采用更先进的技术,如3nm、2nm和A16等。其中,第二座晶圆厂的厂房建设基本完成,现在开始安装设备等,预计在2026年下半年开始搬入生产设备。台积电董事长魏哲家于法说会表示,计划很快启动第三座晶圆厂的建设。


而台积电在日本和德国的晶圆厂项目主要集中在其他制程,尚未涉及3nm及更先进制程。


值得一提的是,摩根士丹利在2024年9月的报告中预测,在强劲的AI芯片需求情况下,预计到2025年,台积电将其3nm产能从2024年的9万片提升到12万片;到2026年,台积电的3nm产能有望进一步提升至每月14万片,其中2万片将分配给美国工厂;且进一步将2nm制程提升到每月8万片,提供给苹果iPhone的采用。


三星、英特尔的别样风景 

根据三星官网信息,三星的先进制程主要分布在韩国华城工厂、京畿道平泽工厂,以及美国泰勒工厂。

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图源:三星官网

华城工厂是三星重要的先进制程生产基地之一,支持从3nm到10nm的工艺节点,产能情况未知。不过根据Businesskorea在2024年10月的报道,华城工厂的S3生产线在2025年底将全部转化为2nm生产线


根据公开信息显示,平泽P2和P3晶圆厂主要生产4-7nm的芯片。早在2022年,三星曾表示,在华城工厂开始生产3nm芯片后,会将3nm的生产扩展至平泽较新的工厂。但三星的3nm工艺一直被良品率问题所困扰,后续在平泽的3nm生产情况,笔者未找到相关信息。


此外,平泽P4晶圆厂原本计划兼顾NAND闪存、晶圆代工和DRAM生产,但由于代工订单不足,三星调整了设备安装计划,优先转向生产高带宽内存(HBM)等存储芯片。


而三星位于美国泰勒的新晶圆厂设备引入推迟到2026年后,主要由于先进制程良率不佳、客户获取困难等原因。


关于英特尔3nm产能,没有太多披露数据。英特尔2024年年报披露,Intel 3(3nm级制程技术)在2024年已经在美国俄勒冈州进行大批量生产,2025年大批量生产会转移到欧洲爱尔兰工厂,英特尔的Xeon 6可扩展数据中心处理器基于该技术。


不过此前另有消息称,英特尔采用台积电定制的3nm工艺技术来制造其Lunar Lake和Arrow Lake计算核心,预计产量将在2025年初增加。

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