好消息！中国在芯片领域弯道超车，完全绕过西方技术封锁。3月11日，据南华早报消息，中国推出一款无需硅材料的超级芯片，运行速度相当可观。这到底是怎么回事呢？
据悉，北京大学教授彭海林领导的研究团队表示，他们已经突破了芯片性能极限，他们自行设计的二维晶体管的运行速度比英特尔和台积电的尖端3纳米硅芯片快 40% ，同时能耗降低 10%。由于是使用新材料且完全绕过了硅基障碍，这意味着中国在半导体竞赛中“变道”超车了。
注意这里说的3纳米芯片哦，还要快40%，这可了不得。
北京大学网站上周发布的官方声明称：“这是迄今为止速度最快、效率最高的晶体管。”
彭海林在声明中表示：“如果说基于现有材料的芯片创新是一条‘捷径’，那么我们开发基于二维材料的晶体管则像是‘换道’。”
彭海林表示，之所以会走上这条道路，完全是因为当前的制裁需要产生的想法，结果反而迫使研究人员从新的角度找到了解决办法。他和他的团队介绍，在相同工作条件下，他们研制的铋基晶体管的性能优于英特尔、台积电、三星和比利时大学间微电子中心最先进的同类设备。
如果这种技术可以量产且降低成本，那意味着我们彻底绕开西方技术的封锁了，而且这也是突破芯片性能极限的一条好路子，当前，
随着芯片尺寸的不断缩小，当晶体管尺寸接近物理极限时，会面临诸如量子隧穿效应、散热问题等一系列物理现象的限制，使得进一步缩小晶体管尺寸变得越来越困难。而且为了维持摩尔定律的推进，芯片制造所需的设备和工艺越来越复杂，研发和制造成本也在急剧上升。这使得一些企业难以承受巨大的成本压力，从而影响了摩尔定律的持续推进。
在光刻技术、半导体材料等方面，目前已经接近或达到了现有技术的极限，需要在新材料、新工艺、新器件结构等方面取得重大突破，才能继续延续摩尔定律。
或许我们的换道是一次翻身的机会。