拓荆科技:先进逻辑和3D存储的希望,PECVD、晶圆键合龙头

AI划重点 · 全文约2415字,阅读需7分钟

1.拓荆科技是薄膜沉积设备的龙头公司,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线。

2.公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备。

3.由于不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、沉积工序不同、性能指标不同,薄膜沉积设备市场巨大。

4.2023年全球薄膜沉积设备市场规模约为211亿美元,PECVD设备市场规模约占晶圆制造设备市场的22%。

5.目前,拓荆科技无控股股东和实际控制人,国家集成电路产业投资基金股份有限公司持有19.77%的股份。

以上内容由腾讯混元大模型生成,仅供参考


欢迎关注下方公众号阿宝1990,本公众号专注于自动驾驶和智能座舱,每天给你一篇汽车干货,我们始于车,但不止于车。

随着集成电路制造不断向更先进工艺发展,单位面积集成的电路规模不断扩大, 芯片内部立体结构日趋复杂,所需要的薄膜层数越来越多,对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在 90nm CMOS 工艺,大约需要 40 道薄膜沉积工序。在 3nmFinFET 工艺产线,需要超过 100 道薄膜沉积工序,涉及的薄膜材料由 6 种增加到近 20 种,对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。薄膜设备的发展支撑了集成电路制造工艺向更小制程发展。


薄膜沉积设备作为集成电路晶圆制造的核心设备,沉积的薄膜是芯片电路中的功能材料层,是芯片制造的核心工艺环节。今天我们就来研究薄膜沉积设备的龙头公司——拓荆科技。


拓荆科技主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积 (ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂 14nm 及以上制程集成电路制造产线,并已展开 10nm 及以下制程产品验证测试。主要客户包含中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂,打破国际厂商对国内市场的垄断,与国际寡头直接竞争。


01

行业背景

根据 SEMI 统计和预测,2023 年全球半导体设备的销售额达 1,063 亿美元,2024 年预计增长至 1,090 亿美元, 并持续保持增长态势,2025 年预计达到 1,280 亿美元的新高。

图片

图|全球半导体设备销售额/亿美元

来源:SEMI、与非研究院整理

中国大陆作为全球最大的消费电子市场,对半导体芯片的需求量巨大,同时也为半导体设备 带来了广阔的市场空间,尤其是在终端市场强劲需求和新兴产业快速发展的拉动下,对半导体设备的需求呈现持续增长的态势。根据 SEMI 统计,2023 年中国大陆半导体设备销售额为 366 亿美元,同比增长 29%,连续第四年成为全球最大半导体设备市场。

图片

图|中国大陆半导体设备销售额/亿美元

来源:SEMI、与非研究院整理

图片

图|薄膜沉积设备及占比

来源:拓荆科技公告

在高端半导体设备中,薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备,决定了芯片制造工艺的先进程度。薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层,在芯片制造过程中需求量巨大,且直接影响芯片的性能。由于不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、沉积工序不同、性能指标不同,相应产生了巨大的薄膜沉积设备市场。2023 年,晶圆制造设备销售额约占总体半导体设备销售额的 90%,达到约 960 亿美元;而薄膜沉积设备市场规模约占晶圆制造设备市场的 22%,由此推算,2023 年全球薄膜沉积设备市场规模约为 211 亿美元。


PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 及超高深宽比沟槽填充 CVD 设备,均属于 CVD(化学气相沉积)细分领域产品,不同的设备技术原理不同,所沉积的薄膜种类和性能不同,适用于芯片内不同的应用工序,主要应用及薄膜材料如图示:

图片

图|在逻辑芯片中的应用图示

来源:拓荆科技公告

图片

图| 3D NAND 存储芯片中的应用图示

来源:拓荆科技公告

图片

图|在 DRAM 存储芯片中的应用图示

来源:拓荆科技公告

02

公司介绍


2.1、公司概况

拓荆科技股份有限公司成立于 2010 年,2022 年 4 月 20 日正式登陆科创板,主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务,公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备、次常压化学气相沉积(SACVD)设备、高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)设备和晶圆混合键合(W2W Hybrid Bonding)设备等系列,拥有自主知识产权,技术指标达到国际同类产品的先进水平。产品主要应用于集成电路晶圆制造、 TSV 封装、MEMS、Micro-LED 和 Micro-OLED 显示等高端技术领域。



2.2、股东背景

公司暂无控股股东和实际控制人,国家集成电路产业投资基金股份有限公司持有19.77%,国投(上海)科技成果转化创业投资基金企业(有限合伙)持有13.61%,中微半导体设备(上海)股份有限公司持有7.37%。


目前公司旗下设有三个子公司,分别为拓荆科技上海(持股比例100%)、拓荆科技北京(持股比例 100%)和拓荆键科(持股比例 55%)。



2.3、高管情况

董事长吕光泉,美国加州大学圣地亚哥分校博士。1994 年 8 月至 2014 年 8 月,先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发、德国爱思强公司美国 SSTS 部,历任副研究员、工程技术副总裁等职。2014 年 9 月至今就职于公司,曾任技术总监、总经理、董事,现任公司董事长。


核心技术人员姜谦,美国布兰迪斯大学博士。1982 年 1 月至 2010 年 3 月,先后任职于麻省理工学院、英特尔公司、美国诺发、欣欣科技(沈阳)有限公司,历任研究员、研发副总裁、执行董事等职。2010 年 4 月至今就职于公司,曾任总经理、董事长、董事,现任公司核心技术人员。


核心技术人员田晓明,美国东北大学电子工程学硕士,新加坡南洋理工大学工商管理硕士。1982 年 2 月至 2018 年 2 月,先后任职或就读于江西景光电子有限公司、美国东北大学、美国 Codi Semiconductor, Inc.、泛林半导体、尼康精机(上海)有限公司,历任设计工程师、资深副总裁等职。2018 年 2 月至今就职于公司,曾任公司总经理,现任公司核心技术人员。

可领取20份行业报告、产业研究合集。


03

产品介绍


3.1、PECVD 设备

PECVD 设备系公司核心产品,是芯片制造的核心设备之一。主要功能是在将硅片控制到预定温度后,使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体,通入适当的化学气体,在等离子体的激活下,经一系列化学反应在硅片表 面形成固态薄膜。相比传统的 CVD 设备,PECVD 设备在相对较低的反应温度下 形成高致密度、高性能薄膜,不破坏已有薄膜和已形成的底层电路,实现更快的 薄膜沉积速度,是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。

图片

图|PECVD设备示意图

来源:拓荆科技公告

来源:拓荆科技官网、与非研究院整理

来源:拓荆科技官网、与非研究院整理

来源:拓荆科技官网、与非研究院整理

来源:拓荆科技官网、与非研究院整理

来源:拓荆科技官网、与非研究院整理

来源:拓荆科技公告

来源:与非研究院整理

来源:与非研究院整理

来源:与非研究院整理

来源:与非研究院整理

来源:与非研究院整理

来源:与非研究院整理

来源:与非研究院整理

来源:与非研究院整理

来源:公司公告

来源:公司公告