青禾晶元与合作伙伴成功研发1200V SiC MOSFET
36氪
2024-12-27 16:30
发布于北京
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36氪获悉，近日，青禾晶元公司与中科院微电子所高频高压中心及南京电子器件研究所深度合作，共同基于6英寸Emerald-SiC复合衬底，成功研发出高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。基于该研究成果的论文于12月10日以口头报告形式发表在第70届国际电子器件大会上（IEDM 2024）。