美光科技近日公布了HBM4和HBM4E高带宽存储器技术的最新进展，预计HBM4将于2026年量产，性能较HBM3E提升50%以上，数据传输速率达6.4GT/s，带宽高达每堆栈1.64TB/s。
HBM4E将随后推出，提供更高速度和定制逻辑芯片。
HBM4技术将内存和逻辑半导体集成在一个封装中，提高性能效率。美光正与SK海力士和三星等公司竞争HBM4市场，HBM4预计将在高性能计算和人工智能领域得到应用。
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美光科技近日公布了HBM4和HBM4E高带宽存储器技术的最新进展，预计HBM4将于2026年量产，性能较HBM3E提升50%以上，数据传输速率达6.4GT/s，带宽高达每堆栈1.64TB/s。
HBM4E将随后推出，提供更高速度和定制逻辑芯片。
HBM4技术将内存和逻辑半导体集成在一个封装中，提高性能效率。美光正与SK海力士和三星等公司竞争HBM4市场，HBM4预计将在高性能计算和人工智能领域得到应用。