在芯片制造行业，有一种设备和光刻机同样重要，那就是薄膜沉积设备。近年来，沈阳拓荆科技有限公司(以下简称拓荆科技)凭借PECVD、ALD等一系列先进的半导体薄膜沉积设备，成为国内该领域的领头羊，引领行业快速发展。
今年前三季度，拓荆科技出货金额同比增长超过160%，公司在手订单饱满，未来新签订单趋势乐观。
聚焦主业
2010年，拓荆科技在沈成立。公司成立以来一直专注于高端半导体设备领域，以国家级海外高层次专家组建起一支国际化的技术团队，深耕薄膜沉积领域，逐步形成了三大类半导体薄膜设备产品系列(PECVD设备、ALD设备及沟槽填充系列设备)，后续拓展了混合键合设备。
“在公司成立之初，依托国家科技重大专项研制了12英寸PECVD设备并推向市场，实现了PECVD设备的产业化应用。在此过程中，公司掌握了PECVD薄膜沉积设备的核心技术，并积累了设备产品从研发到产业化的经验。”拓荆科技董事长吕光泉介绍。
经过十余年的创新发展，公司PECVD、ALD、超高深宽比沟槽填充CVD、混合键合等设备产品陆续通过客户验证，进入客户量产线，并不断扩大量产规模。目前，拓荆科技在沈阳、上海和海宁有研发和产业化基地。沈阳一厂研发和生产基地年产能约300—350台套。拓荆科技现阶段正在规划沈阳二厂产业化基地的建设，为公司后续发展提供产能支撑。
成长机遇
“随着数字化、自动化、智能化需求的浪潮迭起，以人工智能、物联网、智能驾驶等为代表的新兴产业创新发展，对半导体芯片的性能和效率提出了更高的要求。”吕光泉说，面对新兴市场需求的不断涌现，高端半导体设备产业需要持续迭代创新，不断提升产品性能，以满足市场对于更高性能、更低功耗、更小尺寸的集成电路的需求，同时，也产生了巨大的半导体设备市场空间。
在高端半导体设备中，薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备，决定了芯片制造工艺的先进程度。薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量巨大，且直接影响芯片的性能。由于不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、沉积工序不同、性能指标不同，相应产生了巨大的薄膜沉积设备市场。
“我国近年来在半导体设备领域发展较快，但高端半导体设备自给率仍较低，这也为包括拓荆科技在内的国内半导体设备厂商的发展提供了巨大的机遇。”吕光泉表示。
研发投入
目前，拓荆科技成熟产品的核心技术及关键性能指标均已达到国际同类设备先进水平，并在客户端广泛应用，这与拓荆科技不断加大力度推进产品研发及产业化密不可分。
2021年至2023年，拓荆科技研发投入在营业收入中的占比分别为38.04%、22.21%和21.29%。2024年前三季度，拓荆科技研发投入4.81亿元，同比增长35.73%。
目前，拓荆科技已经掌握了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。在薄膜设备方面，公司核心技术广泛应用于主营业务产品中，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。在混合键合设备方面，公司形成了晶圆高速高精度对准技术、混合键合实时对准技术，实现较高的晶圆键合精度，并提高了设备产能。
据了解，截至2024年6月30日，拓荆科技累计申请专利1279项(含PCT)、获得专利402项。其中，拓荆科技今年上半年新增申请专利74项(含PCT)、新增获得专利45项。