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英特尔:芯片互连取得突破性进展,线间电容降低25%

近日,英特尔代工宣布芯片内互联技术取得重大突破,通过公司最新的减成法钌互连技术最高可将线间电容降低25%,有效改善了芯片内互连。据介绍,减成法钌互连技术通过采用钌这一新型、关键、替代性的金属化材料,利用薄膜电阻率和空气间隙,实现了在互连微缩方面的重大进步。该工艺无需通孔周围昂贵的光刻空气间隙区域,也可以避免使用选择性蚀刻的自对准通孔。在间距小于或等于 25 纳米时,采用减成法钌互连技术实现的空气间隙使线间电容最高降低 25%,可作为一种金属化方案在紧密间距层中替代铜镶嵌工艺。据悉,这一解决方案有望在英特尔代工的未来制程节点中得以应用。
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