周末说到了台积电断供7nm的事情，虽然官方上否认了，但是不免让大家想起了当年华为的遭遇。
关于这个我去查了一些资料（非专业，如果有问题大家可以指出），给大家解释一下半导体到底在讲什么故事...
集成电路沿着两条技术路线发展，分别是More Moore和More-than-Moore。
More Moore代表持续追随摩尔定律，致力于推动先进制程的发展。
目前，量产芯片的工艺制程已发展至3nm节点。全球范围内仅有少数企业，如台积电、英特尔和三星，具备10纳米及以下节点的制造能力。
设备上看，目前最先进的DUV光刻机TWINSACAN NXT 2100i的最高分辨率只有38nm；而EUV光刻机3600D的分辨率也只有13nm。
在晶圆厂的实际生产过程中，无论是用DUV加多重曝光或者是EUV（在7nm~5nm工艺中，EUV都只是单次曝光）都无法达到7nm的分辨率/CD值（半间距）。
当初FinFET工艺被采用后，虽然实际上图形的线宽/分辨率并没有大幅度提高，但由于晶体管的结构发生重大变化以后，其整体尺寸是明显微缩了。
这就使得我们能够在单位面积的晶圆上容纳更多数量的晶体管。
从效果的角度上，开发者将其对比原有平面晶体管的密度来换算出一个名义上的等效线宽：也就是我们一般所谓的14nm、7nm...
从20nm开始，所有晶体管都开始采用FinFET工艺后（3nm开始有了GAA等新技术），这个线宽就都完全是等效出来的了。
所以这个XX纳米已经是一种等效法，即它等效于XX纳米。
与More Moore相对应的是More-than-Moore，这一趋势旨在超越摩尔定律，将发展方向引向多样化。
More-than-Moore采用先进封装技术，在一个系统内集成处理、模拟/射频、光电、能源、传感、生物等多种功能，从而实现了系统性能的全面提升。
之前华为常务董事张平安表示，当前中国难以短时间内达到3nm、5nm工艺，应基于现有技术水平，在系统架构上努力提升7nm工艺性能，实现等效工艺提升，而非盲目追求更先进的纳米级别。
其实意思就是我在10nm工艺上，进行了技术、架构、设计的改进后，性能提升20%，功耗降低20%，让他达到等效的7nm。
这可能是现在这个阶段国产高端芯片的另一条道路，至少华为麒麟已经打样成功了。
现在市场炒作的先进封装也好，国产设备也罢，本身都是在博弈未来全面替代的市场空间。
这轮市场定价的热钱是游资和散户，从数据看游资交易占比创新高。“人生能有几回搏，机构不博我来博。”
热钱关注才有溢价，机构尤其是公募过去几年里丧失了股民的信任，被动指数基金扛起了大旗，对大票的影响是雨露均沾；
而游资和大部分新股民看重的是题材内逻辑，现阶段和业绩没啥关系。
这两天我花了很多篇幅讲化债，不理解的或者不赞同的，讲再多也没用，也没必要再说啥了。
说一千道一万，在市场做短线，你要关注只有钱去哪里，什么东西有逻辑，有想象空间就够了。
盘面上看，热度比较高的半导体指数已经逼近历史最高点了。
而另外强势的锂电池也开始爬坡，这主要是受产业链提价转暖以及固态电池概念（和飞行汽车更配）的催化影响。
相对的，传统行业受困于机构对化债观点的分歧，走的比较挣扎。
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