​本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

既是客户，也是对手。

尽管将芯片生产回归自家工厂对英特尔来说具有战略重要性，但公司承认台积电作为其战略合作伙伴，生产了包括Core Ultra 200V（代号Lunar Lake）处理器在内的一些最重要的产品。英特尔甚至向台积电提供设备，英特尔首席执行官帕特·基辛格在接受雅虎财经采访时强调了这一点。

“台积电是一家了不起的公司，他们很好地服务了客户，也很好地服务了我们，”基辛格表示，“我们之前提到的AI PC平台[Lunar Lake]，如果没有台积电，我们无法完成。也就是说，我们既是客户，也是竞争对手，我们还在行业标准上与台积电合作，比如来自台积电和英特尔的芯粒先进封装理念，这对我们携手合作至关重要。”

基辛格继续说道，“最后，我还向他们提供了一些我们的先进设备。这是一种复杂的关系，对英特尔、台积电以及整个行业都很重要。我很感激我们与他们以及为他们所做的许多事情。我期待这种关系能够持续很多很多年。”

基辛格提到的先进设备是IMS Nanofabrication的多电子束光刻掩模写入工具，这在EUV时代至关重要。使用多个电子束来写入光刻掩模可以显著加快掩模的生产速度，这是一项关键进步，因为EUV光刻技术下光刻掩模的降解速度更快。

此外，这些多光束工具使英特尔和台积电等制造商能够快速微调光刻掩模，从而有助于提高良率、减少性能变异并提升整体性能。未来，这些工具预计对于使用高数值孔径（High-NA）EUV光刻技术的新技术节点生产光刻掩模至关重要。

雅虎财经的布莱恩·索齐询问帕特·基辛格关于与台积电关系的原因之一，是因为一篇报道。报道指出，由于英特尔首席执行官的言论，英特尔失去了在台积电的折扣，严重损害了两家公司之间的关系。

据报道，英特尔与台积电曾达成一项有利安排，即台积电提供大幅折扣，在使用3纳米级制造技术处理的每片晶圆23,000美元的价格上给予约40%的优惠。基辛格暗示台积电不是稳定制造中心等的言论导致台积电取消了折扣，迫使英特尔支付全额生产价格，从而削减了其利润空间。在英特尔的Lunar Lake不再是小众产品，并且大幅增加了产量之后，没有折扣将对公司的整体毛利率产生重大影响，这是一件大事。

尽管帕特·基辛格没有直接回应这篇报道，但他确实表示与台积电的关系是“专业的”，并指出两家公司之间相互依赖。

台积电预计2024年引进ASML的High NA EUV光刻机

对于光刻机，台积电预计将于今年年底从荷兰供应商 ASML 接收首批全球最先进的芯片制造机器。

知情人士透露，台积电将在其位于中国台湾新竹总部附近的研发中心安装新的High NA EUV设备。在新设备投入大规模芯片生产之前，还需要进行大量的研究和工程工作，但消息人士称，该公司并不认为有必要仓促采取行动。

“根据目前的研发结果，目前还不需要使用最新版本的High NA EUV 机器，但台积电不会排除进行全面探索和工程工作以及使用业内最先进的工具进行试运行的可能性，”一位消息人士表示。“台积电的目标是保留所有选项。”

台积电可能只有在推出所谓的 10 埃 (A10) 生产技术后才会考虑使用这些机器进行商业生产，可能在 2030 年之后。A10 技术比台积电计划在 2025 年底投入生产的 2 纳米芯片大约高出两代。目前，其最先进的半导体是 iPhone 16 系列使用的 3 纳米处理器芯片。

台积电表示会仔细评估新晶体管结构和新工具等技术创新，并在将其投入量产之前考虑其成熟度、成本和对客户的益处。台积电计划首先引进高 NA EUV 扫描仪进行研发，以开发客户所需的相关基础设施和图案化解决方案，从而推动创新。

三星预计2025年引入High NA EUV

三星电子则成为三巨头中最后一家引入ASML新机器的玩家。据报道，三星电子计划于2025年初引进首台ASML High NA EUV。此前，三星已经通过与比利时微电子研究中心imec的合作，在该中心与ASML共同设立的High NA EUV实验室中进行了初步的技术探索。此次引入自己的High NA设备将进一步加快其技术研发的步伐。

据三星目前公布的半导体先进制程路线图，三星正朝着SF1.4节点迈进，目标是在2027年实现量产。这意味着采用High-NA光刻技术的新一代制程产品最早可能要等到SF1阶段才会问世。

值得一提的是，SK海力士也在计划采购High NA EUV。据报道，SK海力士计划于2026年开始引入自家的首台High NA EUV光刻机。

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