【简讯】AMD官方自爆16核心锐龙9 9950X3D；红魔10 Pro首发搭载悟空屏…

近日，在某官方新闻稿中提到，X3D Turbo加速模式可为锐龙7 9800X3D带来最多5％的游戏性能提升，而即将发布的16核心锐龙9000X3D，借助此模式，性能相比锐龙9000系列标准版，游戏性能可高出最多18％。即便是锐龙9000系列标准版，借助X3D加速模式，也能获得一定程度的提升。

这一加速模式只需将主板BIOS升级到基于1.2.0.2a版微代码的即可。它会屏蔽对游戏往往不太有好的多线程技术，而在双CCD型号上，它会屏蔽一个CCD，从而避免调度问题。

这意味着，无论是16核心的锐龙9 9950X3D，还是12核心的锐龙9 9900X3D，仍然都是单个CCD上堆叠3D缓存，容量都还是64MB。

今天，京东方BOE联合努比亚手机与红魔游戏手机共同举行了全新一代真全面屏的交付仪式，展示了双方在屏下摄像全面屏技术领域的最新成果。据悉，这款屏幕不仅具备1.5K高分辨率和95.3%的高屏占比，还拥有高刷新率和高亮度，展现出出色的显示性能。

其中，红魔10 Pro系列首发搭载“悟空屏”，该手机将于11月13日正式发布；而“全面好屏”则由努比亚Z70 Ultra首发搭载。

值得一提的是，红魔10 Pro系列延续了无开孔的真全面屏设计，采用屏下前摄技术，且进一步收窄了屏幕边框。

为了实现更窄的边框，红魔10 Pro系列采用了超级COP封装工艺，并结合行业领先的SIP超窄边技术。整机结构设计方面，红魔10 Pro系列通过优化材料和改进工艺，将中框壁厚减薄的同时增强了强度，使整机手感更加纤薄坚固。

核心配置方面，红魔10 Pro系列搭载了高通骁龙8至尊版处理器，并配备了独立电竞芯片，集成了主动散热系统，拥有外置肩键等。

此外，红魔10 Pro系列还内置超过7000mAh的大容量电池，成为目前骁龙8至尊版机型中电池容量最大的一款。

最近，存储器巨头三星和SK海力士都发布了季度财报，在财报电话会议上，均强调了接下来会将重点转移到高利润的高端产品上，同时可能会减少DRAM和NAND闪存的产量，特别是传统类型的产品。

有消息人士透露，在最近与高盛的投资者关系会议上，SK海力士表示计划到今年年底前，将DDR4的产量占比降至DRAM总产量的20%，低于6月的40%和9月30%。此前三星设备解决方案（DS）部门执行副总裁Kim Jae-joon也确认了，将执行减少传统DRAM和NAND闪存芯片产量的计划。同时三星和SK海力士都强调了，会将焦点转移到HBM和eSSD这类高利润产品。

有分析机构表示，全球存储器供应将持续过剩。SK海力士打算加快位于无锡的旧DRAM生产设备升级，引入1αnm（第四代10nm级别）生产线，另外位于大连的NAND闪存生产线正在接近满负荷生产，以供应市场所需要的eSSD。

日前，有数码博主曝光了一加Ace 5系列的配置参数，标准版搭载高通骁龙8 Gen3平台，Pro版搭载高通骁龙8至尊版平台。

该博主暗示，一加Ace 5 Pro将是今年最便宜的骁龙8至尊版机型，当前价格最低的骁龙8至尊版机型是真我GT7 Pro，首发起售价是3599元。

因此，一加Ace 5 Pro的最终定价预计在3000-3500元之间，这将是Ace系列最强悍的机型。

其它配置方面，一加Ace 5系列采用6.78英寸1.5K 8T LTPO直屏，由京东方供货，采用BOE X2发光材料，前置1600万像素，后置5000万主摄+800万超广角+200万副摄，配备LPDDR5X内存和UFS 4.0闪存，支持100W有线闪充，电池容量超6000mAh。

去年有报道称，SRAM单元在台积电3nm制程节点上，与5nm制程节点基本没有分别。这一消息也印证了过去的传言，即台积电（TSMC）在3nm制程节点遇到SRAM单元缩减放缓的问题，采用N3B和N5工艺的SRAM位单元大小分别为0.0199μm²和0.021μm²，仅缩小了约5%，而N3E工艺更糟糕，基本维持在0.021μm²，这意味着几乎没有缩减。

据TomsHardware报道，随着新一代2nm制程节点的到来，SRAM单元缩减问题似乎看到了曙光。与3nm制程节点不同，台积电在2nm制程节点将引入GAA晶体管架构，有望显著降低功耗，提高性能和晶体管密度，带来质的改变。台积电将在今年12月的IEDM会议上发表的一篇论文，提到了2nm制程节点将HD SRAM位单元尺寸缩小到约0.0175μm²。

这将是一个重大的突破，近年来SRAM单元的扩展已经变得相当困难，而通过N2工艺，台积电最终缩减了HD SRAM位单元尺寸，从而提高了SRAM密度。按照目前的情况来看，GAA晶体管架构似乎是HD SRAM位单元尺寸缩小的主要推动力。

日前，科赋宣布推出全新URBANE V RGB DDR5电竞超频内存，专为超频狂热者、内容创作者与游戏玩家等用户所打造。科赋表示，新产品有着流线型的造型设计，提供了绝佳的散热效果，并完美兼容英特尔代号“Arrow Lake-S”的酷睿Ultra 200系列台式机处理器，释放游戏强劲性能。

URBANE V RGB DDR5采用了顶级的用料与全新的设计风格，外观的设计灵感来源于弓箭，象征着内存速度更快、更稳定、更精准。利落鲜明的线条设计，配上两侧的圆弧曲线，呈现了满弓形态。上方的导光灯条则是由宽变窄，造型宛若箭羽，诠释了现代美学的设计理念。由于内存整体高度仅42.5mm，可以为玩家提供更好的装机兼容性。

科赋为URBANE V RGB DDR5搭配的是厚度达2mm的纯白铝合金散热片，线性刻纹的设计能起到更好的散热效果，线性刻纹的设计能起到更好的散热效果。双束导光灯条支持RGB全色域灯效，玩家可随心所欲自定义RGB灯效，提供了更为个性化的视觉体验。

URBANE V RGB DDR5提供了速率6000MT/s至8400MT/s的产品，运行电压在1.1V至1.45V之间，有32GB、48GB和64GB等多种双通道套组选择，支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO一键超频技术，满足了不同用户的使用需求。