在今年年初，三星发布了中阶产品990 EVO。在半年后，他们就带来了这款硬盘的升级版990 EVO PLUS。说起来，上一次三星用PLUS这个后缀还得追溯到2019年的970 EVO PLUS。而和970 EVO与970 EVO PLUS的关系一样，本次990 EVO PLUS主要体现在NAND的更换上，从990 EVO的第6代V-NAND升级到了第8代V-NAND。

从规格表里面可以看到，升级了NAND让990 EVO PLUS拥有了更高的速度，同时也有着更大的容量可选。除此之外，其他参数就没什么变化了，比如说990 EVO PLUS同样支持PCIe 4.0 x4和PCIe 5.0 x2双模式。

三星990 EVO PLUS介绍：单颗2T NAND，主控散热更好

和一直采用鲜红色作为主题色的旗舰级PRO系列不同，990 EVO PLUS（也包括EVO）的配色是蓝色，它既没有继承970 EVO/EVO PLUS的橙色，也并非980的白色。相比起早前推出的990 EVO，新加的PLUS后缀颜色更淡一点。在电子产品这块，蓝色总是个很稳妥的颜色。

990 EVO PLUS的本体就是三星SSD的一贯设计风格了，包括NAND、主控在内的一系列元器件全部位于正面，背面是纯平的，只有三星SSD的丝印和印着各种认证的贴纸。这张贴纸是铜质的，可以加强散热。

因此正面才是这块SSD的重点，撕开印满关键信息的贴纸后，可以发现990 EVO PLUS的布局其实很宽松，NAND和主控、电源芯片各处一端，且NAND焊盘仅有两个，我们手上的2TB版本就只有一块NAND在上面！附带一提，这也许意味着采用同样方案的PM9C1a M.2 2242/2230版本能喜迎更大的容量，对于笔记本/平板/掌机等超轻薄设备的用户来说是件好事。

先来来看看第8代V-NAND TLC，堆叠层数高达236层，比起第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高，自然也比990 EVO的133层第6代V-NAND（V6 Prime）要高得多。第8代V-NAND闪存基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口，I/O速率达到了2.4Gbps，比上一代提升了1.2倍，这使其可满足PCIe 4.0及PCIe 5.0的要求。它的丝印是K9DYGY8J5B-CCK0。

开头我们说到990 EVO PLUS主控没有变化，确实如此，是和990 EVO（以及刚刚提到的PM9C1a）一样的，代号为Piccolo，型号为S4LY022的ARM处理器，由三星5nm制程打造。但和990 EVO不一样的是，990 EVO PLUS的Piccolo不是以前那种环氧树脂封装，三星加了直触芯片的一个镀镍顶盖，让主控这个发热大户有着更好的散热。三星表示，这个设计让990 EVO PLUS的电源效率比990 EVO提升了73%。

990 EVO PLUS用的是DRAM Less方案，因此PCB上肯定没有给缓存留的地方。在主控下面的就是电源管理芯片了。

测试环节

测试平台及说明

测试平台就是我们一直拿来测SSD的那套，基于酷睿i9-12900K和ROG MAXIMUS Z690 EXTREME打造，因此大家可以对比990 EVO PLUS和其他我们测过的NVMe SSD的数据。和以前一样，990 EVO PLUS装在第一个M.2插槽，直连CPU。系统盘则装在芯片组引出的M.2插槽里。

990 EVO PLUS的主控支持在PCIe 5.0 x2 / PCIe 4.0 x4两种模式间切换，可以避免SSD插在PCIe 4.0 x4的插槽上降速至PCIe 4.0 x2的风险。虽然理论上来说，PCIe 5.0 x2跟PCIe 4.0 x4的速度是一样的，都是7.877GB/s，但是我们在下面的大部分测试中，都会把两种模式各测一遍，看看两种模式有什么区别。

测试内容包括CrystalDiskMark 8，PCMark 10以及TxBENCH的全盘写入等测试。为了测试出990 EVO PLUS的最佳表现，我们在三星魔术师软件里面将它的性能模式设置为Full Performance Mode，这模式会让SSD把全盘10%，约186GB的空间拿来做OP，因此你们在CrystalDiskMark 8测试中会看见全盘空间只有1677GB。

CrystalDiskMark 8

峰值性能测试

PCIe 4.0 x4

PCIe 5.0 x2

先看峰值性能测试，在PCIe 5.0 x2模式下，990 EVO PLUS的连续读写速度分别是7116 / 6039 MB/s，两种传输模式实在说不上有差别，多跑几次也是一样的。就7000MB/s级别的连续读取的速度来说，990 EVO PLUS可以说是充分发挥了PCIe接口的能力，显著缩小了跟旗舰级990 PRO的差距。而和990 EVO相比的话，无论读写都是进步。

真实性能测试

PCIe 4.0 x4

PCIe 5.0 x2

真实性能方面，990 EVO PLUS在QD1时的连续读写速度为3646 / 4673 MB/s，4K随机读写为22100 / 104287 IOPS，4K随机读写延迟则为45 / 9 μs。和990 EVO规格上的4K随机读写（QD1）相比也是有提升的。

PCMark 10存储测试

PCIe 4.0 x4

PCIe 5.0 x2

在这里我们还是拿PCIe 5.0 x2的数据：990 EVO PLUS在PCMark 10中的得分是4390 ，平均传输速率为698.42 MB/s，延迟是38  μs。表现是挺不错的。

3DMark存储测试

PCIe 4.0 x4

PCIe 5.0 x2

其实PCMark 10的测试跟3DMark 10有一定相似性，不过3DMark更加侧重游戏方面多一点。990 EVO PLUS在这里的得分为4460，平均传输速率为758.94 MB/s，延迟是40 μs。

最终幻想14 6.0 基准测试

在4K分辨率最高画质的设置下，990 EVO PLUS在5个场景中的总载入时间约为6.3秒。如果具体看各个场景的耗时话，短的话不到0.5秒，长的话也就是2.5秒，说得上是一个让人没有有明显感知的数字。

TxBENCH全盘写入测试

因为TxBENCH全盘写入测试的目的是看看990 EVO PLUS的SLC缓存有多大，再加上上面的几个测试都证明了PCIe 4.0 x4和PCIe 5.0 x2两个模式几乎是没有区别的，所以我们就不来回切传输模式来折腾它了，而是保持在PCIe 5.0 x2模式。这个测试是在被测盘无分区的情况下进行的，会填充整个盘的可用空间。可见990 EVO PLUS的SLC缓存大小约为233GB，有缓存的时候平均写入速度在6400MB/s上下，无缓存则为1457MB/s。

IOMeter测试

这是IOMeter对SSD全盘进行两小时的4K QD32随机写入后所记录下来的IOPS离散分布情况。990 EVO PLUS前期会在25000-30000 IOPs之间，这段时间持续了约36分钟，后面则集中在20000-21000 IOPs这个区间。

总结：PLUS得够明显

三星990 EVO PLUS更换了新一代的NAND，同时主控的散热也得到了改进，这些升级带来的效果可以说是相当明显：峰值性能测试下的连续读写速度充分释放了PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2接口的能力，且相当接近旗舰款990 PRO，这是个亮点。而从整体的表现来看，990 EVO PLUS比起990 EVO毫无疑问是进步的。

当然，一切最终还是要回到价格问题。目前在各大电商平台上，990 EVO PLUS目前的售价是1TB 499元，2TB 899元，而最大的4TB似乎还没到来。而比较神奇的是，同样的容量版本，990 EVO PLUS都是要比990 EVO要便宜一点的，哪怕是在三星自家的官方商城上也是如此，这样一来好像确实没有不选PLUS的理由。