前言
2024年10月22日，德国电气电子及信息技术协会（VDE）在深圳向茂睿芯颁发了国内首个磁隔离技术驱动器的VDE认证证书。
VDE创立于 1893 年，是全球电气、电子及其零部件安全测试及认证的权威检测认证机构与标准制定者，其认证有着严格的测试标准和规范，涵盖电气安全、机械安全、防火性能、电磁兼容性、可靠性和环境适应性等多个方面。
此次颁证活动出席人员包括茂睿芯总经理易俊先生、副总裁兼CTO盛琳女士、副总裁高克宁先生，VDE环球服务中国区总经理吴仲铉先生、环球服务销售总监Andreas Loof，以及来自21世纪电源网、充电头网等媒体和行业代表。
茂睿芯MD18011是一款光耦兼容的单通道隔离型栅极驱动器，是国内首个磁隔离技术一次性通过验证并获得VDE认证证书的驱动器产品。这意味着茂睿芯MD18011在质量和安全性方面都达到了较高水平，符合国际及各国的相关标准与法规要求，可顺利通过各国市场准入审核，避免因认证问题而造成的贸易障碍。
MD18011系列
MD18011系列是一款光耦兼容的单通道隔离型栅极驱动器，具备4A 源极电流和 7A 漏极电流的驱动能力，主要用于驱动 MOSFET、IGBT 以及 SiC MOSFET 。
其采用了特有的磁隔离技术，输入端与输出端支持 5.7kVRMS以上的电气隔离，并且可抵御高达 200kV/us 的共模瞬态干扰，传输延时为80ns，输入端可接受 -16V 的宽范围信号，在设计输入级buffer供电时，可更加灵活地使用系统上的辅助电源，不会轻易受到电压限制。低至us的UVLO恢复响应时间，使得VCC完成充电后，OUT可以更快的参与工作。
相比于传统的光耦型栅极驱动器，MD18011采用的磁隔离技术可提供了远超传统技术的安全性和可靠性。其内部绝缘距离可达100um以上，而目前市面上同类产品的绝缘距离通常仅为20至30um。
经过测试，MD18011A/B/C 获得了多项关键安全认证，包括符合 DIN EN IEC 60747-17（2021-10）标准的 8000VPK 强化隔离认证，通过 UL1577 标准的一分钟 5.7kVRMS 隔离测试，以及符合 GB4943.1-2022 标准的 CQC 认证。该产品在14kVRMS电压条件下能持续工作60秒无损坏，工作寿命预计超过40年，极大降低了使用中的风险。
MD18011系列采用SOW-6 封装，该设计提供了超过 8mm 的爬电距离和电气间隙，可在-40°C 至 125°C 的温度范围内正常工作，适用于多种隔离电源管理应用，涵盖隔离式 AC-DC 和 DC-DC 电源、恶劣环境下的电信、数据通信及工业基础设施，广泛用于光伏逆变器及混合动力和电动汽车的电池充电器中。设计特别适用于要求高隔离耐压、高抗干扰能力的应用场景。
除了 MD18011 系列产品外，茂睿芯还将陆续推出多款基于磁隔离技术的产品，进一步丰富其产品线，为国内外客户提供更加全面的高品质解决方案。这些新产品将覆盖更多的应用场景，包括工业自动化、新能源、智能电网等多个高需求领域。茂睿芯致力于通过技术创新和产品升级，推动行业进步，助力全球客户应对未来的技术挑战，为行业的持续发展贡献更大的力量。
关于茂睿芯
茂睿芯（深圳）科技有限公司是一家专业的高性能模拟和混合信号集成电路设计、研发销售和技术服务公司，是国家高新技术企业、被认定为国家级专精特新“小巨人”企业。公司成立于2017年，总部位于深圳，在北京、上海、成都、无锡、天津等地均设有分部。公司注重后续人才培养，和南方科技大学成立了联合实验室、人才培养基地。
茂睿芯始终坚持自主研发、创新驱动，秉承平台化发展策略，业务覆盖消费电子、工业和汽车3大应用领域，自主开发5大技术平台，同时具有功率器件开发能力，并依此形成了10余条产品线，超400个产品型号，其中涵盖了国内稀缺的120V高压BCD技术、磁隔离技术90A大电流服务器电源技术、千瓦级工业电源管理一站式方案、车规级模拟芯片，每条产品线都开创了业界或者国内的领先。
目前公司在先进工艺制程上积累了大量知识产权，已获得授权专利56件（其中发明专利32件、集成电路布图权54项）。产品主要聚焦于光伏储能、充电、汽车电子、高端算力电源、工业电源和自动化以及PD快充等应用领域。
展会预告
茂睿芯（深圳）科技有限公司参加充电头网主办的2025（春季）亚洲充电展，展位号位于A区A33、A34，3月28日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
充电头网总结
此次茂睿芯 MD18011 系列产品除获得 VDE 安规证书以外，还获得了多项关键安全认证，这标志着其在磁隔离技术领域的深厚积累得到了国际权威机构的高度认可。这彰显了茂睿芯在高性能隔离驱动器研发中的技术优势，也为其开拓全球市场奠定了坚实的基础。通过该认证，茂睿芯能够进一步满足全球客户对于安全性、可靠性和高性能的严格要求。
MD18011 是一款基于磁隔离技术的光耦兼容单通道隔离型栅极驱动器，专为 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 设计，具备 4A 源极电流和 7A 漏极电流。其磁隔离技术实现了 5.7kV_RMS 的电气隔离，具备 200kV/us 的共模瞬态抗扰度和 80ns 的低传播延迟，可提供比传统光耦隔离更高的安全性和可靠性，内部绝缘距离达 100µm（目前市场上同类产品的内部绝缘距离通常为20~30um），并已通过 VDE 和 UL 等多项国际安全认证，广泛应用于光伏逆变器、工业自动化和新能源汽车等领域。