郭钰从事第三代半导体材料——碳化硅的研发工作。目前，郭钰及其团队已经研发出8英寸碳化硅单晶衬底。
数年沉淀
碳化硅作为第三代半导体材料，与第一代材料和第二代材料相比，具有禁带宽、散热好等优良性能，同时，它的功率转换效率高，是一种节能材料。十几年前，当碳化硅制备生产技术仍相对薄弱时，郭钰与它“相遇”了。在求学期间，郭钰在中国科学院物理研究所研究员陈小龙团队参与碳化硅材料的研发工作。在陈小龙的带领下，团队每天召开工艺分析研讨会，针对研发过程中遇到的难题，思考解决方法，探索创新性技术。
2008年，从中国科学院物理研究所毕业的郭钰选择从事碳化硅材料的研发工作。她从业的初心就是运用所学解决实际问题，从理论到实际。郭钰说，“我庆幸自己从事碳化硅材料的研发，我付出的努力得到了市场的正向反馈，这给予我巨大的成就感。”在2008年到2016年的八年间，由于市场下游验证的长期缺失，郭钰和团队经历了一段最艰难的时期，“在那段艰难探索、求真务实的日子里，大家团结一致，对未来充满信心。回想起解决问题的每一个日夜，我仍感觉幸福。”
制备全流程技术攻关
由于碳化硅制备流程长，每道工艺都需要进行检测，因此，郭钰将课题任务进行了分解，同时将团队成员分成横向和纵向两个小组，横向小组解决流程从前端至后端出现的问题，提高产品质量；纵向小组深入探讨问题背后的机理，寻求解决路径。“通过反复研讨、沟通、协调，直至解决问题，团队青年工程师能够获得成长。”郭钰表示，这是对陈老师过去教导方式的传承，即每个问题都要详细研讨，对实施完成后的正向经验和反向教训进行思索，逐步解决问题。郭钰带领团队一直践行这套“方法论”，攻克了碳化硅制备工艺创新路上的重重难关。
绿色未来
郭钰说，经过16年技术攻关，她和团队在碳化硅材料研发道路上初见曙光，未来还有很长的路要走。“通过多年技术积累，我们已经站在一个相对高的水平。经过我们这代人及下一代人持续努力，这项技术很快将迎来新的‘高峰’。”作为从事这项技术的科技工作者，郭钰也将谱写与碳化硅材料的新故事。
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