我羡慕很多公司，但最羡慕的不是那种巨无霸的公司，而是小而美，在一个高端领域“唯我独尊”的公司，今天说的公司就是：
在侵入式脑机芯片领域可以唯一买到的芯片
不要说什么马克斯的东西牛逼，他的脑机芯片有几个买到的，有几个用到的？
我的意思是，说的再厉害，更多的人用不到，当然你说什么都是你对，对对对，你说的对。
这个就是鄙人的榜样了，创始人
当然了，芯片都流片了，就买货就行，当然可以不去再开发
服务了六大洲五十个国家
国内也有很多的科研机构在用
我接触也是因为中科院的一位朋友在使用它，然后我也上车了，感觉在里面可以学到的东西有很多。
其实它主要就是两个大类，采集和刺激，然后围绕着这个给出了系统的方案。
采集
下面应该是数字组件，我也不是很懂芯片
刺激
具有双极（差分）输入的RHD2216 16 通道放大器芯片 具有单极输入和公共参考的RHD2132 32 通道放大器芯片 具有单极输入和公共参考的RHD2164 64 通道放大器芯片
封装很小
采集uV级别的心电信号
使用胸部的 Ag/AgCl 电极。放大器配置为下截止频率为 0.6 Hz，上截止频率为 100 Hz。ADC 采样率为每通道 2 kS/s。
多个时间对齐的皮质动作电位，1s内对齐
先看一个芯片的数据：
ADC 放大器采样率高达每通道 30 kSamples/s 低本底噪声：2.4 μV rms（典型值） 上限截止频率可配置为 100 Hz 至 20 kHz 下限截止频率可配置为 0.1 Hz 至 500 Hz 集成多频率原位电极阻抗测量能力 辅助 ADC 输入，用于连接其他片外传感器
首先是一个俩级放大的OP结构，第一级的放大倍数很大。可以看到是交流耦合，前级电容，后面通过一个MUX转换，非同步采集，我以为是同步捏，滤镜没有了。。。
然后还有一个温度传感器，可以看到还有一个1.25的参考，所以这个东西的范围应该就是0~3.3V，然后接的是一个16bit的ADC，去掉一个误差位，那就是15bit，后级就是一个数字模块了，SPI闪亮登场。
前级有ESD的保护级
阻抗测试
RHD2000芯片集成了一个用于生成用户指定交流电流波形的电路。这个电路可以向任意选择的电极注入特定的交流电流波形，主要用于阻抗测试等目的。
数字-模拟转换 (DAC): 芯片内部有一个8位DAC，通过SPI接口可以设置其输出电压。
低通滤波器: DAC输出的数字阶梯波形经过一个二阶10kHz低通滤波器，滤除高频噪声，得到相对平滑的模拟信号。
电流转换: 滤波后的模拟信号通过一个可选择的电容（0.1pF, 1pF, 10pF）连接到测试电极。这个电容将电压转换为电流，从而在电极上产生交流电流。
波形控制: 通过SPI接口可以设置DAC的输出电压，从而控制注入到电极的电流幅值和波形。
DAC输出电压范围: 0V至1.22V，步进为4.785mV。
低通滤波器截止频率: 10kHz。
可选择电容值: 0.1pF, 1pF, 10pF。
波形控制: 可以产生近似正弦波、方波等波形。
以上是参数细节
16通道的也是一样的
因为通道很多
LVDS模式的优势：
高速传输：适合高速数据传输场景。
抗干扰能力强：适用于噪声较大的环境。
长距离传输：适用于长距离通信。
选择模式的考虑因素：
数据传输速率：高速率选择LVDS，低速率选择CMOS。
抗干扰要求：对噪声敏感的场合选择LVDS。
系统复杂度：LVDS实现相对复杂，CMOS更简单
因为精密信号对干扰非常敏感，这里当然不全是这个原因，主要是后端输出的信号有点大，就使用了LVDS了，这种差分信号又快干扰又小。当然为了兼顾开发，也有SPI。
LVDS_en：
功能： 用于控制SPI接口的工作模式。
高电平有效： 当LVDS_en为高电平时，SPI接口采用LVDS模式进行通信。LVDS是一种高速、低功耗的差分信号传输方式，具有抗干扰能力强等优点。
低电平有效： 当LVDS_en为低电平时，SPI接口采用传统的CMOS电平信号进行通信。
CS+、CS-：
功能： 芯片选择的输入信号，用于激活SPI器件。
LVDS模式： 当LVDS_en为高电平时，CS+和CS-构成一个LVDS差分对，共同作为芯片选择的输入。
CMOS模式： 当LVDS_en为低电平时，仅使用CS+作为标准的CMOS电平输入。
SCLK+、SCLK-：
功能： SPI接口的串行时钟信号。
LVDS模式： 当LVDS_en为高电平时，SCLK+和SCLK-构成一个LVDS差分对，作为串行时钟输入。
CMOS模式： 当LVDS_en为低电平时，仅使用SCLK+作为标准的CMOS电平输入。
MOSI+、MOSI-：
功能： 主机向从机发送数据的串行数据输入。
LVDS模式： 当LVDS_en为高电平时，MOSI+和MOSI-构成一个LVDS差分对，作为串行数据输入。
CMOS模式： 当LVDS_en为低电平时，仅使用MOSI+作为标准的CMOS电平输入。
MISO+、MISO-：
功能： 从机向主机发送数据的串行数据输出。
LVDS模式： 当LVDS_en为高电平时，MISO+和MISO-构成一个LVDS差分对，作为串行数据输出。
CMOS模式： 当LVDS_en为低电平时，仅使用MISO+作为标准的CMOS电平输出。
通过控制LVDS_en引脚，可以根据不同的应用场景选择LVDS模式或CMOS模式。
LVDS模式具有更高的传输速率和抗干扰能力，适用于高速数据传输；而CMOS模式则更简单易用。
CPOL=0： 表示时钟的空闲状态为低电平。
RHD2000 chip always acts as slave: 表示该芯片在SPI通信中始终作为从机。
LVDS差分信号： LVDS信号通过一对差分信号线传输，通过比较两条线的电压差来恢复数据，从而提高抗噪声能力。
俩种传输
电压波形:
标准CMOS: 输出电压在高低电平之间切换，幅度接近电源电压。
LVDS: 输出电压是差分信号，即MISO+和MISO-之间存在一个固定差值（350mV）。每个信号的绝对值较低，通常在电源电压的1/2左右。
电流波形:
标准CMOS: 输出电流在高低电平切换时会有较大的变化，导致较高的功耗。
LVDS: 由于采用差分信号，输出电流相对较小且稳定，功耗较低。
这里需要注意一点是，这个SPI不是我们平常使用的SPI，而是DDR，叫双倍率模式，在一个时钟沿采样两次，比如CLK-10Mhz，现在就是20Mhz了。其实这种做法在flash，内存里面很常见。
在标准SPI中，MISO数据只在SCLK的上升沿或下降沿被采样一次。
DDR SPI为了提高数据传输速率，在SCLK的一个周期内，MISO数据会在上升沿和下降沿各被采样一次。
连接示意图，但是MCU来连接不太好，就是不灵活
我前几个看64的还没有MCU版本，现在全系列芯片都可以使用MCU控制了。
OK，一会儿看
对于一个标准的协议来说，就是CLK一个Edge才采样一次
DDR就是上下都会采样
下面这段内容，全网都没有，你能看到就有福气了。
在使用单片机（如STM32 U5或H7）实现DDR（Double Data Rate，双倍数据速率）SPI通信时，由于标准SPI外设不支持32位MISO接收，而需要采用两个SPI外设来实现这一功能的配置方法。
问题： 标准SPI外设通常不支持MOSI传输16位数据，MISO接收32位数据的模式。
解决方案：
两个SPI外设： 分别用一个SPI外设负责16位MOSI数据的发送（TRANSMIT_SPI），另一个SPI外设负责32位MISO数据的接收（RECEIVE_SPI）。
伪SCLK信号： 由于RECEIVE_SPI需要在SCLK的上升沿和下降沿都对MISO进行采样，因此需要生成一个频率是SCLK两倍的伪SCLK信号。
时序同步： 伪SCLK的产生需要与真实的SCLK进行同步，确保MISO数据的采样时刻正确。
SPI1
SPI3
配置TRANSMIT_SPI：
作为主设备，负责输出CS、SCLK和MOSI信号。
只发送16位数据。
配置RECEIVE_SPI：
作为从设备，只负责接收MISO信号。
接收32位数据。
使用生成的伪SCLK信号作为时钟。
生成伪SCLK信号：
利用定时器产生一个频率为SCLK两倍的信号。
调整伪SCLK的相位，使其与真实的SCLK保持同步。
利用微控制器的定时器模块，通过PWM模式和重复计数器，生成一个频率为SCLK两倍的方波信号。通过调整定时器的参数，可以精确控制伪SCLK的相位，使其与SCLK保持同步。
True SCLK: 标准的SPI时钟信号。
Pseudo-SCLK: 由定时器生成的伪时钟信号，频率是True SCLK的两倍。
MOSI: 主机发送的数据，以True SCLK为时钟。
MISO A, MISO B: 从机接收的数据，分别在Pseudo-SCLK的奇数和偶数上升沿采样。
U5强哇
U5：
定时器配置恰好满足时序要求，无需额外调整。
H7：
运行速度更快，需要引入额外的延迟，以确保伪SCLK与True SCLK的相位关系正确。
为了速度，DMA全开
依靠中断进行通讯
牛的，波特率这么高
剩下的细节就不写了。
不过LL确实很快
级联的就算了，FPGA来了
LVDS的连接是这样的
一种板子是这样的，上面的金点都镀金了
双芯片，128位通道
FPGA的框图，等我学会FPGA再看
当然了一些厂家也设计了很多有趣的设计，我感觉我也可以设计。
总之很棒，但是脑机接口也路途遥远。