联发科技申请静电放电保护装置专利,降低寄生电阻提高内部电路性能

金融界2024年10月18日消息,国家知识产权局信息显示,联发科技股份有限公司申请一项名为“静电放电保护装置”的专利,公开号 CN 118782603 A ,申请日期为 2024 年 3 月。

专利摘要显示,本发明提供了一种静电放电保护装置。该静电放电保护装置包括 P 型半导体基板、P 型和 N 型阱区、深 N 型阱区、第一 N 型和 P 型掺杂区、第二 N 型和 P 型掺杂区。P 型和 N 型阱区位于 P 型半导体基板中。深 N 型阱区位于 P 型半导体基板中且位于 P 型阱区下方。第一 N 型和 P 型掺杂区位于 P 型阱区上。第二 N 型和 P 型掺杂区位于 N 型阱区上。第一 P 型掺杂区与第二 N 型掺杂区电连接 。本发明在发生静电放电事件时,可以形成两条电流路径,包括经由第一 P 型掺杂区与第二 N 型掺杂区电连接的电流路径以及经由 P 型阱区和 N 型阱区形成的 PN 结的电流路径,从而降低寄生电阻,提高内部电路性能。