本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自TrendForce
全球14家8英寸SiC晶圆厂布局。
过去几年，全球各大公司都在投资8英寸SiC产线，目前这些投资正在逐步投入运营。
在全球SiC市场，意法半导体（ST）、安森美、英飞凌、Wolfspeed、罗姆、博世、富士电机、三菱电机、世界先进半导体（VIS）、EPISIL、士兰微电子、UNT等公司均已宣布计划建设自己的8英寸SiC芯片工厂（如图所示）。其中许多公司也在上游衬底和外延材料领域取得了进展。
意法半导体（ST）：意法半导体今年5月31日宣布在意大利卡塔尼亚建设新的8英寸SiC工厂，整合SiC生产工艺的各个环节。新工厂预计2026年开始生产，2033年达到满负荷，最高产能为每周15000片晶圆，预计总投资额约为50亿欧元。
意法半导体与中国三安光电合资在中国重庆建设的8英寸碳化硅（SiC）制造工厂将成为意法半导体的第三个SiC生产中心。该项目于2023年6月7日宣布，预计将于2025年第四季度投产，预计2028年全面竣工。
安森美：安森美位于韩国富川的SiC晶圆厂已于2023年完成扩建，计划在完成技术验证后，于2025年过渡至8英寸生产。届时产能将扩大至目前规模的10倍。
英飞凌：2024年8月8日宣布，位于马来西亚居林的8英寸SiC功率半导体晶圆工厂一期正式开始运营，预计2025年实现规模化生产。该项目一期投资额为 20 亿欧元，英飞凌还计划在未来五年内再投入多达 50 亿欧元进行二期建设。一期项目重点生产碳化硅功率半导体，同时也涵盖部分氮化镓外延生产。
Wolfspeed：Wolfspeed拥有全球首座、规模最大的8英寸SiC工厂，位于美国纽约州莫霍克谷，于2022年4月正式开业。截至今年6月，该工厂已实现20%的晶圆利用率。
2023年1月，Wolfspeed与汽车零部件供应商ZF宣布计划在德国萨尔州建设全球最大、最先进的8英寸SiC器件制造工厂。这一项目目前已被推迟，目前预计最早也要到2025年才能开工。
ROHM：在日本福冈县筑后市建设SiC新工厂，2022年开始量产，计划2025年实现从6英寸晶圆生产过渡到8英寸晶圆生产。2023年7月，ROHM宣布计划2024年底在日本宫崎县第二工厂开始生产8英寸SiC基板。
博世：博世位于德国罗伊特林根的工厂于2021年开始生产6英寸SiC晶圆，目前该工厂也生产8英寸SiC晶圆。位于美国罗斯维尔的工厂预计将于2026年开始生产8英寸SiC晶圆。
三菱电机：今年5月下旬宣布，位于日本熊本县的8英寸SiC工厂将于2025年9月完工，投产时间从2026年4月提前至2025年11月。三菱电机做出这一调整是为了响应强劲的市场需求，其半导体和器件事业部高级执行官兼总经理表示，汽车和工业应用领域 SiC 功率半导体的咨询正在增加，通过生产 8 英寸产品（与现有产品相比生产效率更高）可应对需求的增长。
富士电机：今年1月，富士电机宣布未来3年（2024～2026财年）投资2000亿日元用于SiC功率半导体生产，其中日本松本工厂的8英寸SiC产能预计于2027年投产。
联合利华：在绍兴越城区建设首条8英寸SiC MOSFET晶圆生产线，今年4月完成工程批次，预计明年实现量产。
士兰微电子（Silan）：今年6月18日，我国首条8英寸SiC功率器件芯片制造线项目在厦门正式启动，总投资120亿元人民币。项目分两期建设，年产能为72万片8英寸SiC功率器件芯片。一期投资70亿元人民币，预计2025年三季度末完成初步并网，四季度试产，年产量目标为2万片晶圆。二期投资约50亿元人民币。
世界先进半导体（VIS）与EPISIL：世界先进半导体9月10日宣布，拟投资24.8亿新台币收购EPISIL 13%股权，双方将合作研发及生产8英寸SiC晶圆技术，预计2026年下半年实现量产。
泰国首家SiC工厂：近日，泰国合资公司FT1 Corporation投资115亿泰铢（3.5亿美元），利用从韩国芯片制造商转让的技术，建设泰国首家SiC工厂，生产6英寸和8英寸晶圆。该工厂预计将于2027年第一季度投产，以满足汽车、数据中心和储能市场日益增长的需求。
前述14家SiC工厂（其中12家在建）中，目前仅有Wolfspeed的Mohawk Valley工厂短期内能够供应8英寸SiC晶圆，其他厂商预计明年起将陆续开始供应8英寸SiC晶圆。
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