前言

2024年8 月 28 日至 8 月 30 日，国际电力电子展PCIM Asia 2024在深圳国际会展中心（宝安）隆重举行！展会同期还组织多场论坛和圆桌会议，内容广泛涵盖电动汽车、清洁能源、储能、WBG功率器件等领域，共同探讨电力电子领域的新技术发展、应用和研究。

在展会上，罗姆半导体展示了其最新推出的650V EcoGaN系列PFC控制器IC，该系列产品目前共有两款型号，分别是BM3GF01MUV-LB以及BM3GF02MUV-LB，接下来充电头网将会简单介绍一下。

ROHM 650V EcoGaN PFC控制器IC

罗姆半导体推出的650V EcoGaN PFC控制器IC，BM3G0xxMUV-LB系列，代表了高效能与先进技术的结合。这款集成了650V GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）和栅极驱动器的功率级IC，不仅将功率半导体与模拟半导体的核心部分集成于一体，还极大简化了设计和安装流程，能够显著降低设计难度和系统成本。

BM3G0xxMUV-LB系列支持最大240W功率产品应用，与传统的Si MOSFET（硅金属氧化物半导体场效应晶体管）相比，该器件的体积减少约99%，功率损耗降低约55%，充分满足当今市场对电子产品高效节能的迫切需求。

此外，其宽驱动电压范围支持2.5V至30V，确保了与主电源中几乎所有控制器IC的兼容性，使工程师能够在不同的电源设计中灵活应用，从而有效替换现有的硅（超级结）MOSFET。

BM3G0xxMUV-LB系列还集成了丰富的功能，包括EMI（电磁干扰）控制、LDO（低压差线性稳压器）和温度保护等新特性。这些功能不仅有效降低了dv/dt（电压变化率）及开关损耗，还成功解决了栅极振荡、误导通和EMI噪声等一系列可靠性问题。

在此次展会中，ROHM还展示了搭载该系列控制器的demo，此demo的输入电压范围为90Vac至264Vac，输出功率为400V/0.62A，整体效率高达98%。得益于GaN技术的高效率特性，系统能够减少功率损耗约55%，同时体积也缩小了近99%，这使得其非常适用于高效节能需求高的电源设计。

充电头网总结

在本次PCIM Asia 2024展会上，罗姆半导体通过展示其最新的650V EcoGaN系列PFC控制器IC，展现了其在高效节能领域的技术领先地位。凭借GaN技术的强大优势，该系列产品不仅提升了电源管理的性能，还通过大幅缩小器件体积和降低功率损耗，完美契合了当前市场对高效、紧凑电源设计的需求。

BM3G0xxMUV-LB系列控制器的推出，标志着电源设计的进一步简化和优化。其高度集成的设计使工程师能够轻松应对复杂的电源设计挑战，同时显著降低了系统成本。丰富的功能集成如EMI控制、LDO和温度保护等，也为系统的可靠性和稳定性提供了有力保障。