IT之家 10 月 9 日消息，ASML 新任 CEO 傅恪礼（Christophe Fouquet）出席 SPIE 大会并发表演讲，重点介绍了 High NA EUV 光刻机。
他提到，High NA EUV 光刻机不太可能像最初的 EUV 光刻机那样出现延迟。傅恪礼还谈到了组装扫描仪子组件的新方法，即直接在客户工厂安装，无需经历拆卸及再组装的过程。这将大大节省 ASML 与客户之间的时间和成本，有助于加快 High NA EUV 光刻机的发的和交付。
紧随其后上台的是英特尔院士兼光刻总监 Mark Phillips，他表示英特尔已经在波特兰工厂完成了两台 High NA 光刻系统的安装，而且他还公布了一些资料，表明 High NA EUV 相对于标准 EUV 光刻机所带来的改进可能要比之前想象中还要多。
他表示，由于已经有了经验，第二套 High NA EUV 光刻系统的安装速度比第一个还要更快。据称，High NA 所需的所有基础设施已经到位并开始运行。用于 High NA 的光刻掩模检测工作已经按计划开始进行。因此，英特尔无需做太多辅助支持工作即可将其投入生产。
Mark 还被问到了关于 CAR（化学放大抗蚀剂）与金属氧化物抗蚀剂的问题，他表示 CAR 目前还够用，但可能在未来某个时候需要金属氧化物光刻胶。英特尔目标插入点是 Intel 14A 工艺（IT之家注：预计 2026~2027 年量产），这可能比预期的要更快。