本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自TrendForce

6 英寸三代半导体生产线获突破。

近期，多条6英寸生产线取得重大进展，重点研发碳化硅（SiC）、氧化镓（Ga2O3）等第三代半导体材料。

NEXIC 成功完成其晶圆厂的第一批晶圆

9 月 21 日，NEXIC 宣布其晶圆厂已成功完成第一批晶圆。NEXIC 专注于第三代半导体 SiC 功率器件和功率模块的技术创新和产品开发。该晶圆厂位于江苏省江阴市，于 2023 年 8 月开始建设，设备安装计划于 2024 年 8 月完成。

据悉，NEXIC 6英寸功率半导体制造项目总投资20亿元，产品可广泛应用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、5G通讯等领域，项目达产后预计年产能为100万片晶圆。

今年6月，业内消息透露，NEXIC第三代半导体功率模块研发生产基地项目已签约落户江苏省无锡市锡东新城。该项目总投资超10亿人民币，重点打造车规级第三代半导体功率模块封装线，覆盖主驱系统、超快充电桩、光伏、工业等应用领域。项目预计2025年投产，年产量约129万台，预计年产值超15亿人民币。

我国首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线破土动工

9月10日，富嘉镓业6英寸氧化镓单晶及外延片生长线在杭州富阳开工建设。

富嘉镓芯成立于2019年，致力于超宽带隙半导体氧化镓材料的商业化，专注于氧化镓单晶的生长以及氧化镓衬底、外延片的研发、生产和销售，产品主要应用于功率器件、微波射频、光电探测等领域。

氧化镓单晶可以通过熔体法生长，从而在制备成本、单晶质量、缺陷或尺寸等方面相对于第三代半导体碳化硅、氮化镓材料及超宽禁带半导体氮化铝、金刚石材料有明显优势，从而成为大国竞争的关键材料。另外，氧化镓材料的热处理温度及硬度均与单晶硅较为接近，从单晶硅器件线转为氧化镓器件线仅仅需要更换5%设备，相比而言，碳化硅材料硬度较大，且热处理温度较高，从单晶硅器件线转为碳化硅器件线，需要更换25%设备。

考虑到现存单晶硅的器件线以6英寸及8英寸为主，氧化镓单晶材料及外延片需要跨过6英寸门槛后才能进入产业化快车道。现阶段，公司已经实现了6英寸导电型及绝缘型氧化镓单晶衬底的制备，单晶外延技术也取得重要进展，已达到6英寸硅基器件线产业化门槛。

据了解，目前国际上仅仅有日本NCT（Novel Crystal Technology, Inc）有6英寸氧化镓量产计划。杭州富加镓业是国内目前唯一一家同时具备6英寸单晶生长及外延的公司，开工建设的6英寸氧化镓单晶及外延片生长线也是国内第一条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线，该生产线高度集成单晶生长、衬底加工、外延及检测，整条产线涉及关键设备包括“一键长晶”单晶生长设备、多线切割设备、高精度研磨抛光设备、倒角设备、激光加工设备、全自动化晶片清洗设备、高通量外延设备、表面缺陷检测仪、电学性能测试仪等重要设备。面向未来，6英寸的氧化镓单晶及外延片将为下游器件厂商提供稳定可控的高质量氧化镓材料。

RIR 6 英寸碳化硅器件工厂竣工，投资 51 亿印度卢比

9月4日，RIR Power Electronics Limited宣布其位于印度奥里萨邦的碳化硅半导体制造工厂竣工，总投资额为51亿印度卢比。

RIR 是美国 Silicon Power Group 在印度的子公司，专门生产电力电子元件。RIR 的产品组合包括低功率至高功率器件和 IGBT 模块，服务于能源、交通、可再生能源和国防等行业。

2023年7月，硅能集团宣布在印度奥里萨邦建立SiC工厂，专门生产6英寸SiC晶圆，该投资通过其印度子公司RIR进行。2023年10月，RIR获得奥里萨邦政府批准，为该项目投资51.08亿卢比，预计2025年全面投入运营。

除了 RIR 之外，总部位于钦奈的 SiCSem Private Limited 于 6 月宣布计划在印度奥里萨邦建立一家碳化硅 (SiC) 制造、组装、测试和封装 (ATMP) 工厂。

6月15日，SiCSem与印度理工学院布巴内斯瓦尔分校（IIT-BBS）签署合作协议，在化合物半导体领域开展合作研究，首个合作项目为在IIT-BBS实现SiC晶体生长本地化，重点实现6英寸、8英寸SiC晶圆的量产，预计投资4.5亿印度卢比（约合3800万元人民币）。

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