金融界2024年6月28日消息，天眼查知识产权信息显示，比亚迪半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法“，公开号CN202211700061.X，申请日期为2022年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括第一导电类型的漂移区层、第一导电类型的结构层和第二导电类型的集电极层，其中，所述第一导电类型的结构层位于所述漂移层的背面，所述第一导电类型的结构层包括深能级的第一导电类型杂质区；所述集电极层位于所述第一导电类型的结构层的远离所述漂移层的一面，所述集电极层掺杂有浅能级的第二导电类型杂质。本发明实施例的半导体器件和制备方法，既可以保证常温下的导通压降，又可以提升其最大工作结温。