某网剧蹭芯片战争（参考：一个沉重的话题：Chip War|芯片战争）的热点，讲到我国科学家研制光刻机用激光器的故事。目前最先进的ASML光刻机用的激光器是EUV（极紫外）激光器。
ASML的光刻机是长这样的。
为了延续摩尔定律（参考：摩尔定律的继续将对物理学和经济产生巨大压力），硅片上集成的晶体管尺寸需要越来越小，这是通过光掩膜版在光刻胶上成像实现的。但光学成像，是无法无限清晰下去的。光学成像小于一定大小，就必须考虑衍射效应，即对尺寸接近光波波长的成像细节，就开始模糊了。
因此，随着集成电路上的晶体管尺寸越来越小，我们用到的激光光源的波长会越来越短。而随着光波的波长越来越短，产生这个波长光所需物理过程的能量也就越来越大。
在电磁波谱上，EUV与X-射线相邻。
而EUV所需的波长，13.5nm，是非常短的，已经进入了软X-射线的范围。这么高的能量，普通物理过程就很难实现。早期，日本科学家甚至提议用加速器的同步辐射光来用作光刻机的光源。
想想用这个做光刻，兴奋！
不过ASML公司的解决方案是用炙热的等离子体来产生波长为13.5nm的光。即处于高度电离状态的锡离子（+8到+14价态）会产生波长为13.5nm共振跃迁（the resonance transitions）。
当然这个原理说起来容易，做起来难。根据公开资料，ASML是这样做到的。首先使用气嘴吹出连续的金属锡（Sn，Tin）的小液滴。直径为30微米，之所以这么小是为了提高EUV的转换效率，减少过程中锡碎片的产生。
我们是如何得到EUV光的？
然后使用CO2激光器连续地打出两个激光脉冲，第一个激光脉冲是预处理光束，能量不是很高，但已足以把锡球压扁，形成一个直径为500微米左右的扁平圆盘。这里需要注意的是CO2激光器波长为10.6微米，对应频率远小于锡中等离激元（plasmon）的振动频率，换句话说照射在锡球上的激光将基本上都被反射回去，即：激光脉冲将会在瞬间给锡球施加一个强大的光压，把锡球压扁。
金属Al的反射率（对金属锡也是类似的），可见对CO2激光来说，几乎是100%反射的，垂直虚线为等离激元振荡频率。
锡球被第一个激光脉冲压扁的图像，从左到右，逐渐变扁。
随之而来的第二个激光脉冲是主脉冲，此时CO2激光器工作在最佳状态，光斑大小也恰好是500微米左右，即所有激光能量都被打在锡扁平盘上，由于金属锡中存在的阻尼作用（电阻），强大的激光瞬间使锡升温汽化并处于高温炙热的等离子状态，这一般被称为激光激发的等离子体（laser-produced plasma, LPP）。所谓等离子体就是稳定的锡晶格不存在了，锡离子和电子混合在一起成为一个整体电中性的整体，锡也可以被电离到比+4更高的价态。当锡等离子体的温度为20 - 40eV时，热运动会使锡离子（+8到+14价态）激发到高激发态，并发出EUV光。
激光激发的等离子体发出的频率，其中绿线是CO2激光器的结果，可见是最“锐利”的，基本上集中在EUV（13.5nm）附近。
但此时发出的光，除EUV的成分外，还有其他波长的光存在，锡球背后的大镜子是筛选光波波长用的，这个镜子是个多层膜结构，正好使得EUV的光（13.5 nm）在多层膜上发生全反射。并汇聚在远处的中间焦点（intermediate focus，IF）上。
光在多层膜上的多次反射，使特定波长的光发生相长反射，从而把这个波长筛选出来。
然后就是一系列光路，把EUV光导出并最终穿过掩膜版，完成最终的光刻任务。
EUV光路，自右向左，最后打在硅片上。
参考阅读：
Physics of laser-driven tin plasma sources of EUV radiation for nanolithography https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6595/ab3302