加州大学的研究人员概述了薄膜铌酸锂（TFLN）电光调制器的制造方法。
由TFLN制成的Mach-Zehnder调制器（MZM）可实现高速电光调制，在上世纪90年代就已经达到了70GHz的调制带宽。近些年，随着TFLN MZM的发展，已经可以在1310nm、1550nm电信波段实现超过100GHZ的调制带宽。目前TFLN MZM主要有4种不同结构，制造过程包括：蚀刻TFLN，在TFLN上沉积其他材料形成肋状波导，与具有预制肋状波导的芯片或晶圆键合。此外还有基于等离子体效应的TFLN MZM器件，以及制造波导的其他方法。4种结构中的前2种可以利用绝缘体上铌酸锂技术制造，第3种一般通过转移法制造，第4种一般在铌酸锂晶圆上沉积制造。虽然TFLN MZM具有较大的应用前景，但目前的制造技术仍存在一定问题，大规模制造的成本较高，能否超过硅光子集成技术尚未可知。
这项研究概述了TFLN电光调制器的制造方法，指出了主要问题，有助于该技术改进。