集成电路大突破！首只国产ArF光刻胶在南大光电诞生

国内芯片行业昨晚取得关键性突破，而这个突破就诞生在苏州一家上市公司。

12月17日晚间，南大光电（300346）发布公告称，其控股子公司 “宁波南大光电”自主研发的ArF（193nm）光刻胶产品近日成功通过客户的使用认证。

 这标志着中国“ArF光刻胶产品开发和产业化”项目取得了重大突破，成为国内通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶。

这两年大家经常听到我国芯片被美帝断供的事情，造出“自主芯”成为国内各家芯片企业的夙愿。但是芯片产业链非常庞大，其中光刻胶是其中重要一环。

光刻胶是半导体光刻工艺的核心材料，决定了半导体图形工艺的精密程度和良率，其质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。

光刻胶是一种有机化合物，经过紫外光、电子束等照射，光刻胶得到曝光，化学性质发生改变，经过显影液的洗涤，图案会留在衬底上。硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。

按不同制程和曝光波长，半导体用光刻胶可分为EUV光刻胶、ArF光刻胶、KrF光刻胶及G线、i线光刻胶，前三者均为高端光刻胶产品，产业信息网数据显示，截至2019年国内在g线/i线光刻胶仅达到20%自给率，而KrF光刻胶自给率不足 5%，ArF光刻胶则完全依赖进口。

由于技术壁垒和客户壁垒高，全球半导体光刻胶市场集中度高，市场被美日公司长期垄断。日本的JSR、东京应化、信越化学及富士电子四家企业占据了全球70%以上的市场份额，处于市场垄断地位。

研发进度上，EUV光刻胶为目前市场上最高端的光刻胶，目前国内还未开始涉及，但在ArF光刻胶、KrF光刻胶领域，国内已有众多企业相继开启研发，其中包括江苏的南大光电和晶瑞股份等。

而南大光电在这一轮竞赛中率先突破。

“ArF 光刻胶产品开发和产业化”是宁波南大光电承接国家 “02 专项”的一个重点攻关项目，他们的认证评估报告显示，“本次认证选择客户50nm闪存产品中的控制栅进行验证，宁波南大光电的ArF光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求，良率结果达标。

早在2017年，南大光电公司便已经开始研发“193nm光刻胶项目”，而且还获得了国家“02专项”的相关项目立项。

彼时，南大光电便宣称，计划用3年的时间实现ArF光刻胶产品的建设、投产和销售，最终达到年产25吨193nm ArF光刻胶产品的生产规模。

南大光电5月22日在于互动平台上透露，公司的ArF光刻胶目前正在按计划进行客户测试。

据南大光电公告介绍，公司研发得ArF光刻胶产品可以用于90nm-14nm甚至 7nm 技术节点的集成电路制造工艺。广泛应用于高端芯片制造（如逻辑芯片、 AI 芯片、5G 芯片、大容量存储器和云计算芯片等）。

ArF 光刻胶的市场前景好于预期。随着国内 IC 行业的快速发展，自主创新和国产化步伐的加快，以及先进制程工艺的应用，将大大拉动光刻胶的用量。

但是，ArF光刻胶的复杂性决定了其在稳定量产阶段仍然存在工艺上的诸多风险，不仅需要技术攻关，还需要在应用中进行工艺的改进、完善，这些都会决定 ArF 光刻胶的量产规模和经济效益。